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铱锰靶材(IrMn)是一种典型的反铁磁合金靶材,由铱(Ir)与锰(Mn)组成,在磁性薄膜、磁传感器、自旋电子学(Spintronics)及 MRAM 工艺中具有关键作用。IrMn 以其优异的交换偏置(Exchange Bias)性能、热稳定性和抗腐蚀能力,被广泛用于交换耦合结构、磁阻元件(GMR/TMR)、自旋阀、磁性存储器和高灵敏磁传感器中。
由于 Ir 的贵金属稳定性与 Mn 的反铁磁行为结合,IrMn 薄膜可提供高度可靠的磁性固定层(Pinned Layer),是现代磁电子器件的核心材料之一。
强交换偏置场(Hex)
用于固定磁化方向,适合 GMR/TMR 结构。
优异热稳定性(高阻尼、高 Néel 温度)
保证高温退火后的磁性一致性。
抗腐蚀、抗氧化、膜层致密
溅射后薄膜稳定性强。
低颗粒率、薄膜均匀性好
适合高要求磁性器件生产。
支持 DC/RF 磁控溅射
可用于单层膜、叠层膜、多层结构膜。
Ir20Mn80(主流)
Ir25Mn75
Ir30Mn70
可根据交换偏置场与温度稳定性需求调整比例。
直径:25–300 mm
厚度:2–6 mm
纯度:99.9%–99.99%
表面粗糙度:Ra < 0.8 μm
背板结合:Cu / Ti / In bonding 支持
自旋阀(Spin Valve)结构
磁性固定层(Pinned Layer)
MTJ(磁隧穿结)结构
MRAM 读写单元
IrMn 是交换偏置材料的主流选择。
电子罗盘
磁场检测器
交通运输磁传感模块
工业磁阻传感器
IrMn 使传感器具有高稳定性与低噪声。
读写磁头薄膜
磁性堆叠结构(Spintronics)
高密度磁记录单元
磁域控制层
反铁磁材料研究
交换偏置机制研究
自旋输运与磁性耦合结构
高稳定磁性叠层膜
| 参数 | 范围 / 典型值 | 技术说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 保证磁性与薄膜稳定性 |
| Ir/Mn 比例 | 可定制 | 决定交换偏置场与温度特性 |
| 致密度 | ≥97% | 低颗粒、薄膜均匀 |
| 直径 | 25–300 mm | 覆盖所有溅射腔体 |
| 厚度 | 2–6 mm | 支持薄靶与厚靶 |
| 背板 | Cu / Ti / In | 增强散热和结构强度 |
| 材料 | 特点 | 应用 |
|---|---|---|
| IrMn | 强交换偏置场、反铁磁结构 | GMR、TMR、磁传感器 |
| PtMn | 高 Néel 温度、热稳定强 | 高温 MRAM 工艺 |
| FeMn | 成本低 | 普通磁性叠层结构 |
| CoFeB | 高磁化强度、自旋注入好 | MTJ、磁记录 |
1. IrMn 靶材可以用于 TMR 器件?
可以,是磁性固定层的关键反铁磁材料。
2. Ir/Mn 比例能否根据交换偏置要求调整?
可以,根据需求调节 Hex、阻尼与温度稳定性。
3. 是否可生产 8 英寸或更大尺寸靶材?
完全支持,适用于大规模磁性薄膜生产线。
4. IrMn 会氧化吗?
靶材已真空封装,薄膜本身稳定性好。
5. 可提供磁性测试数据吗?
支持提供 Hex、矫顽力、磁导率、薄膜厚度均匀性等。
真空密封
防静电袋
防震泡棉
出口级保护包装
附唯一批次编号与检测标签
铱锰靶材(IrMn)是磁存储、传感器及自旋电子器件中不可替代的交换偏置材料,具有优异磁稳定性与可靠性。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密、成分可定制的 IrMn 溅射靶材,适用于科研和大规模生产。
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