铱锰靶材(IrMn)

铱锰靶材(IrMn)

产品简介(Introduction)

铱锰靶材(IrMn)是一种典型的反铁磁合金靶材,由铱(Ir)与锰(Mn)组成,在磁性薄膜、磁传感器、自旋电子学(Spintronics)及 MRAM 工艺中具有关键作用。IrMn 以其优异的交换偏置(Exchange Bias)性能、热稳定性和抗腐蚀能力,被广泛用于交换耦合结构、磁阻元件(GMR/TMR)、自旋阀、磁性存储器和高灵敏磁传感器中。

由于 Ir 的贵金属稳定性与 Mn 的反铁磁行为结合,IrMn 薄膜可提供高度可靠的磁性固定层(Pinned Layer),是现代磁电子器件的核心材料之一。


产品详情(Detailed Description)

材料特性

  • 强交换偏置场(Hex)
    用于固定磁化方向,适合 GMR/TMR 结构。

  • 优异热稳定性(高阻尼、高 Néel 温度)
    保证高温退火后的磁性一致性。

  • 抗腐蚀、抗氧化、膜层致密
    溅射后薄膜稳定性强。

  • 低颗粒率、薄膜均匀性好
    适合高要求磁性器件生产。

  • 支持 DC/RF 磁控溅射
    可用于单层膜、叠层膜、多层结构膜。

常见成分(可定制)

  • Ir20Mn80(主流)

  • Ir25Mn75

  • Ir30Mn70
    可根据交换偏置场与温度稳定性需求调整比例。

可供规格

  • 直径:25–300 mm

  • 厚度:2–6 mm

  • 纯度:99.9%–99.99%

  • 表面粗糙度:Ra < 0.8 μm

  • 背板结合:Cu / Ti / In bonding 支持


应用领域(Applications)

1. 磁阻器件(MRAM / GMR / TMR)

  • 自旋阀(Spin Valve)结构

  • 磁性固定层(Pinned Layer)

  • MTJ(磁隧穿结)结构

  • MRAM 读写单元

IrMn 是交换偏置材料的主流选择。


2. 磁传感器(Sensors)

  • 电子罗盘

  • 磁场检测器

  • 交通运输磁传感模块

  • 工业磁阻传感器

IrMn 使传感器具有高稳定性与低噪声。


3. 磁记录与硬盘技术

  • 读写磁头薄膜

  • 磁性堆叠结构(Spintronics)

  • 高密度磁记录单元

  • 磁域控制层


4. 功能性薄膜与科研应用

  • 反铁磁材料研究

  • 交换偏置机制研究

  • 自旋输运与磁性耦合结构

  • 高稳定磁性叠层膜


技术参数(Technical Parameters)

参数 范围 / 典型值 技术说明
纯度 99.9%–99.99% 保证磁性与薄膜稳定性
Ir/Mn 比例 可定制 决定交换偏置场与温度特性
致密度 ≥97% 低颗粒、薄膜均匀
直径 25–300 mm 覆盖所有溅射腔体
厚度 2–6 mm 支持薄靶与厚靶
背板 Cu / Ti / In 增强散热和结构强度

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 应用
IrMn 强交换偏置场、反铁磁结构 GMR、TMR、磁传感器
PtMn 高 Néel 温度、热稳定强 高温 MRAM 工艺
FeMn 成本低 普通磁性叠层结构
CoFeB 高磁化强度、自旋注入好 MTJ、磁记录

常见问题(FAQ)

1. IrMn 靶材可以用于 TMR 器件?
可以,是磁性固定层的关键反铁磁材料。

2. Ir/Mn 比例能否根据交换偏置要求调整?
可以,根据需求调节 Hex、阻尼与温度稳定性。

3. 是否可生产 8 英寸或更大尺寸靶材?
完全支持,适用于大规模磁性薄膜生产线。

4. IrMn 会氧化吗?
靶材已真空封装,薄膜本身稳定性好。

5. 可提供磁性测试数据吗?
支持提供 Hex、矫顽力、磁导率、薄膜厚度均匀性等。


包装与交付(Packaging)

  • 真空密封

  • 防静电袋

  • 防震泡棉

  • 出口级保护包装

  • 附唯一批次编号与检测标签


结论(Conclusion)

铱锰靶材(IrMn)是磁存储、传感器及自旋电子器件中不可替代的交换偏置材料,具有优异磁稳定性与可靠性。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密、成分可定制的 IrMn 溅射靶材,适用于科研和大规模生产。