铟锑靶材（InSb）

产品简介（Introduction）

铟锑靶材（InSb）是一种由Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体材料铟（In）与锑（Sb）组成的高纯化合物靶材，具有极高的电子迁移率、优异的红外响应特性和窄带隙结构。InSb 是中远红外探测器、霍尔效应器件、磁传感器和高速电子器件中最重要的核心材料之一。

在薄膜沉积领域，InSb 靶材可用于制备高均匀度、低缺陷密度的化合物半导体薄膜，广泛应用于红外光电器件、红外成像、高灵敏度传感器及先进半导体研究。

产品详情（Detailed Description）

苏州科跃材料科技有限公司采用高纯铟与锑粉末，通过真空熔炼、热压烧结、CIP + HIP 等工艺制备高致密度 InSb 靶材。材料结构均匀稳定，适用于 RF、DC 及脉冲磁控溅射。

典型规格：

• 化学式：InSb

• 纯度：99.99%（4N）– 99.999%（5N）

• 密度：≥ 98–99.5% T.D.

• 尺寸：Ø25–Ø300 mm，可定制矩形靶

• 厚度：3–6 mm

• 工艺：真空熔炼 / CIP + 热压 / HIP

• 背板（Bonding）：Cu / Mo / Ti，支持铟焊（In Bonding）

性能优势：

• 极高电子迁移率 → 适用于高速电子器件薄膜

• 窄带隙结构 → 优异红外探测性能

• 致密度高，薄膜均匀性好

• 成分稳定不偏析 → 适合 III-V 半导体研究

• 热稳定性好，可用于中高功率溅射工况

应用领域（Applications）

铟锑靶材常用于先进半导体与红外光电薄膜材料：

• 红外探测器薄膜（IR Detectors）

• 量子阱结构与光电器件薄膜

• 霍尔效应传感器（Hall Sensors）

• 磁阻传感器

• 高速电子器件（High-Mobility Devices）

• 薄膜红外成像器件

• 先进 III–V 半导体材料研究

InSb 的窄带隙与超高电子迁移率（可达 7.7×10⁴ cm²/V·s）使其成为高端传感与红外设备的核心材料。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封包装

• 防震泡棉保护靶材

• 出口木箱包装

• 每片均带唯一批号与检测报告（COA）

结论（Conclusion）

铟锑靶材（InSb）是红外探测、高速电子器件与 III-V 半导体研究中的关键材料，苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、多规格可定制的 InSb 靶材，满足科研机构与工业应用的严格需求。

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