铝锗靶材(AlGe)

铝锗靶材(AlGe)

产品简介(Introduction)

铝锗靶材(AlGe)由铝(Al)与锗(Ge)组成,是一种兼具优良导电性、出色热稳定性和可调光电性能的功能性溅射靶材。该材料在半导体、光电子、薄膜工程以及先进封装技术中具有广泛应用价值,尤其适用于轻质导电层、红外光学薄膜、界面调控层及电子结构功能膜。

铝提供轻量、导电与抗腐蚀特性;锗具有良好的半导体行为与红外光学性能。两者组合后形成的 AlGe 薄膜具有独特的电学及光学调控能力,在科研与产业端均具有较高关注度。


产品详情(Detailed Description)

AlGe 靶材采用高纯铝、锗原料,通过真空熔炼、粉末冶金(PM)、冷等静压(CIP)、热等静压(HIP)及精密机械加工制备,确保靶材具有:

  • 成分均匀,无偏析

  • 高致密度(≥97%),薄膜颗粒率低

  • 氧、碳等杂质含量低,膜层质量更佳

  • 优秀的溅射稳定性与表面光洁度

  • 适合 RF 与 DC 磁控溅射

常见成分比例:

  • Al90Ge10

  • Al80Ge20

  • Al70Ge30

  • 可按光学/电学需求定制 Al/Ge 比例

常规规格:

  • 纯度:99.5%–99.99%

  • 直径:Φ25–Φ300 mm

  • 厚度:3–6 mm

  • 靶材形状:圆形 / 矩形

  • 背板结合方式:Cu / Ti / In 焊接


应用领域(Applications)

1. 光电子薄膜(Optoelectronics)

  • 红外光学薄膜

  • 调制型光学结构

  • 光通讯器件界面层

Ge 的加入可增强光学吸收特性,使 AlGe 膜适合中红外功能薄膜需求。


2. 半导体器件

  • 导电薄膜

  • 欧姆接触层

  • 缓冲层/界面层

  • 先进封装中的功能层

AlGe 的可调电阻率使其成为多种集成电路结构中的功能候选材料。


3. 微电子结构膜

  • 轻质量金属薄膜结构

  • 低应力导电层

  • 微机械 MEMS 器件功能膜


4. 科研与材料开发

  • Al-Ge 固溶体结构研究

  • 可调光电材料探索

  • 纳米结构与异质结研究


技术参数(Technical Parameters)

参数 范围 / 典型值 说明
纯度 99.5%–99.99% 高纯降低薄膜瑕疵
Al/Ge 比例 可定制 决定光学、电学与结构性能
致密度 ≥97% 颗粒少,膜均匀性好
直径 25–300 mm 兼容主流溅射设备
厚度 3–6 mm 支持定制薄/厚靶材
背板 Cu / Ti / In 提升散热与溅射稳定性

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 应用方向
AlGe 可调电学 + 光学性能,轻质 半导体、光电薄膜
AlSi 稳定性更高,常用于互连层 集成电路金属层
AlN 绝缘 + 高热导 功率器件基底
Ge 红外光学性能优良 光通讯与传感

常见问题(FAQ)

1. AlGe 靶材适用什么溅射方式?
RF、DC、磁控溅射均可。

2. 是否支持大尺寸靶材?
可提供 4″、6″、8″、12″ 以及矩形靶材。

3. AlGe 膜层的典型特性是什么?
轻质、可调电阻率、良好附着力、优异光学特性。

4. 能否定制 Al/Ge 成分?
可以,根据电学/光学需求灵活调整比例。

5. 是否提供检测报告?
支持 ICP 成分分析、密度测试、粗糙度测试等。


包装与交付(Packaging)

  • 真空密封防氧化

  • 内部防震保护

  • 出口级纸箱或木箱包装

  • 每片靶材附唯一批号与质量标签


结论(Conclusion)

铝锗靶材(AlGe)是一种具备可调光电性能、优良导电性与良好结构稳定性的多功能靶材,适合应用于光电、半导体、薄膜工程与先进材料研究。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密度、成分可定制的 AlGe 靶材,满足科研与工业量产需求。

如需获取详细技术数据或报价,请联系:
sales@keyuematerials.com