铝硅靶材（AlSi）

产品简介（Introduction）

铝硅靶材（AlSi）由铝（Al）与硅（Si）组成，是半导体金属互连、集成电路（IC）制造、电子封装及微电子薄膜中广泛使用的重要合金靶材。铝具有优异的导电性、轻量和高延展性，而硅的加入可提升材料的耐电迁移能力（EM）、提高高温稳定性并减少晶界扩散，使 AlSi 薄膜具备更高的可靠性和结构稳定性。

AlSi 是各类金属化薄膜工艺中较早普及、迄今依旧大量使用的基础材料之一。

产品详情（Detailed Description）

铝硅靶材常采用高纯铝粉与硅粉，通过混粉、CIP 冷等静压、真空烧结或 HIP 热等静压制备，也可通过真空熔炼生产合金锭并精密加工成型。

典型规格参数

• 纯度（Purity）：99.9%–99.999%

• 常见成分（Composition）：

  • Al-0.5%Si

  • Al-1%Si

  • Al-2%Si

  • 其它含量可按工艺需求定制

• 直径（Diameter）：Ø25–300 mm（矩形可定制）

• 厚度（Thickness）：2–6 mm

• 致密度（Density）：≥98–100% TD

• 生产工艺（Process）：Vacuum Melting / CIP + Sintering / HIP

• 背板（Bonding）：Cu / Ti / Al / Indium Bonding

材料特性

• 成膜速度快

• 导电性高

• 薄膜结构均匀

• 电迁移抗性优于纯铝

• 适合 DC / RF 高速溅射

• 与硅基片黏附性好

应用领域（Applications）

1. 集成电路（IC）制造

• 金属互连层

• 多层布线结构

• 电阻薄膜

• CMOS 金属化层

AlSi 是传统和现代制程中的关键金属材料。

2. 微电子器件（Microelectronics）

• 封装金属层

• 电极层

• 结构薄膜

• 散热金属膜

3. 功能性金属薄膜（Functional Films）

• 轻量化金属保护层

• 中等强度结构膜

• 导电 & 导热薄膜

4. 科研应用（R&D）

• Al-Si 合金体系研究

• 电迁移与失效机理研究

• 多层金属结构开发

技术参数（Technical Parameters）

材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

AlSi 能否用于 RF 溅射？
可以，适用于 DC / RF / HiPIMS。

Si 的添加对薄膜有什么作用？
提供抗电迁移能力，提升高温结构稳定性。

能否制备 300 mm 靶材？
可以生产 Ø300 mm 圆靶或矩形靶。

AlSi 是否容易氧化？
铝系材料易形成氧化膜，但在镀膜中可稳定使用。

包装（Packaging）

• 双层真空封装

• 干燥剂防潮

• 多层缓冲抗震结构

• 出口级纸箱或木箱

• 附唯一批号和质检证书

结论（Conclusion）

铝硅靶材（AlSi）凭借其高导电性、稳定成膜能力和优异的抗电迁移性能，已成为半导体、微电子和金属化工艺中不可或缺的基础材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制 Si 含量的 AlSi 靶材，适用于科研、试产和工业量产需求。

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