铜铟靶材（CuIn）

产品简介（Introduction）

铜铟靶材（CuIn）由铜（Cu）与铟（In）组成，是光电、半导体与薄膜太阳能领域的重要功能性合金靶材。Cu 提供良好的电导率与机械强度，In 则具有低熔点、高延展性和优异的薄膜均匀性，两者结合后可形成稳定、致密、低缺陷的功能薄膜。

CuIn 常用于制备 CIGS（Cu-In-Ga-Se）薄膜太阳能电池的前体层，也广泛应用于光学镀膜、透明导电膜、缓冲层和粘附层结构中，是高性能薄膜系统的重要组成材料。

产品详情（Detailed Description）

铜铟靶材采用高纯 Cu 与 In 原料，经精确配比混合、冷等静压（CIP）成型，再通过真空烧结（Vacuum Sintering）或热等静压（HIP）工艺制备。优化的微结构确保靶材致密度高、杂质含量低、溅射过程中稳定无大颗粒，适用于 DC 与 RF 磁控溅射。

典型产品规格：

• 纯度（Purity）：99.9%–99.99%

• 常见成分比例（Composition）：

  • Cu50In50

  • Cu60In40

  • Cu70In30

  • 可根据工艺需求定制任意 Cu/In 比例

• 直径（Diameter）：Ø25–300 mm

• 厚度（Thickness）：3–6 mm（可做薄靶）

• 致密度（Density）：≥95–99% TD

• 制造工艺（Process）：CIP + Vacuum Sintering / HIP

• 背板结合（Bonding）：Cu/Ti 背板或 Indium 焊接

材料特点：

• Cu 提供电导性、机械强度

• In 改善成膜性、降低应力、提升均匀度

• 成膜颗粒低、表面平整度高

• 溅射速率稳定，可用于反应性溅射（CuIn-O、CuIn-Se）

• 兼容多种膜系结构：CIGS、光学膜、电极膜、缓冲层

应用领域（Applications）

1. 薄膜太阳能电池（CIGS Solar Cells）

• Cu-In-Ga-Se 系薄膜前体层

• CIGS 结构的 Cu-In 初始金属层

• CuIn 与 Ga、Se 溅射组合用于形成高效率吸收层

CuIn 是 CIGS 技术不可替代的核心材料之一。

2. 光学镀膜（Optical Coatings）

• 光学反射膜

• 中间层与缓冲层

• 多层膜结构的调节层

3. 透明导电膜（TCF）工艺

• 可作为粘附层（Adhesion Layer）

• 作为透明电极结构中的功能性金属层

4. 半导体薄膜（Semiconductor Thin Films）

• 粘附层

• 散热辅助金属层

• 结构调节金属层

5. 科研开发（R&D）

用于研究：

• Cu-In 金属间化合物薄膜

• CuIn-Se 光电薄膜

• CuIn-O 功能性氧化膜

• 多层金属结构堆栈

技术参数（Technical Parameters）

材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

包装（Packaging）

• 高真空密封 + 干燥剂

• 多层缓冲泡棉保护

• 出口级硬箱或木箱

• 每片靶材带唯一批号与检测记录

结论（Conclusion）

铜铟靶材（CuIn）凭借优异的成膜性能、结构稳定性与光电特性，被广泛应用于 CIGS 太阳能、光学镀膜与电子器件制造。苏州科跃材料科技有限公司可根据客户需求提供多成分比例与尺寸定制，适用于从科研到产业化的多场景使用。

如需报价，请联系：
📩 sales@keyuematerials.com