铂锰靶材（PtMn）

产品简介（Introduction）

铂锰靶材（PtMn）是一种由贵金属铂（Pt）与锰（Mn）组成的高性能磁性功能靶材，在自旋电子学、磁性隧道结（MTJ）、自旋阀结构、磁存储器（MRAM）以及高稳定性磁性薄膜中发挥核心作用。
作为反铁磁材料体系中最成熟、最稳定的材料之一，PtMn 以其优异的热稳定性、磁交换耦合能力和抗迁移性，被广泛用于高端磁性器件与先进电子结构。

其薄膜具有高均匀性、低颗粒率、可控应力与优异的界面稳定性，是科研和工业制造中的关键材料。

产品详情（Detailed Description）

铂锰靶材采用高纯 Pt 与 Mn 原料，通过真空熔炼、粉末冶金、CIP、HIP、高温扩散合金化等工艺制备，保证成分均匀、结构致密，在高功率溅射中保持稳定性。

可提供规格：

• 纯度：99.9% – 99.99%

• 成分比：Pt₅₀Mn₅₀、Pt₄₀Mn₆₀、Pt₆₀Mn₄₀（完全可定制）

• 尺寸：Φ25–Φ300 mm

• 厚度：3–6 mm

• 致密度：≥97%

• 背板选择：铜背板（Cu）、钛背板（Ti）、铟焊（In Bonding）

材料性能优势：

• 优秀的反铁磁特性，适用于交换偏置结构

• 热稳定性极高，可耐受 250–350°C 的退火工艺

• 薄膜成分均匀、应力低

• 与 CoFe、NiFe、CoFeB 等磁性材料兼容性极佳

• 低颗粒溅射，适用于超薄磁性结构

• 适用于大规模磁存储器制造工艺

应用领域（Applications）

铂锰靶材在磁性器件和先进电子薄膜结构中具有不可替代的地位，典型应用包括：

• 磁性隧道结 MTJ（Magnetic Tunnel Junctions）

• 自旋阀（Spin Valve）结构

• MRAM 自旋存储器（STT-MRAM / SOT-MRAM）

• 交换偏置层（Exchange Bias Layer）

• 磁性传感器、霍尔传感器、GMR / TMR 器件

• 自旋电子学（Spintronics）功能层

• 磁通稳定/磁场调节薄膜结构

• 科研实验中的多层磁性结构设计

PtMn 的稳定磁性与优异的热稳定性，使其成为工业量产 MRAM 的主力材料之一。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. PtMn 的磁性主要特点是什么？
作为反铁磁材料，PtMn 具有高交换偏置能力，可稳定夹在其上的软磁层。

2. PtMn 在 MRAM 中的作用是什么？
用于固定层（Pinned Layer），保持极化方向不变，提高存储稳定性。

3. 成分比例可以定制吗？
可以，根据应用需求（如偏置强度、退火温度）定制 Pt/Mn 比例。

4. PtMn 能否承受高温退火？
非常耐高温，可在 250–350°C 条件下保持结构与磁性稳定。

5. 是否适用于薄膜叠层结构？
适用于超薄、多层磁性堆栈，与 CoFe、NiFe、CoFeB 高兼容。

6. 是否支持大尺寸靶材？
可提供 4″、6″、8″、12″ 标准直径。

7. 是否可提供检测报告？
出厂附 ICP 成分、纯度、密度、外观等检测数据。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封

• 防震泡棉保护

• 出口级木箱 / 抗压纸箱

• 独立追溯编号

确保靶材在运输过程中的洁净与稳定。

结论（Conclusion）

铂锰靶材（PtMn）凭借其稳定的反铁磁性能、优异的热稳定性和出色的膜层控制能力，是 MRAM、磁性隧道结及自旋电子材料中的关键靶材。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密度、多规格的 PtMn 靶材，满足科研实验与工业化生产的需求。

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