铁锰靶材（FeMn）

产品简介（Introduction）

铁锰靶材（FeMn）是一类重要的磁性功能合金靶材，由铁（Fe）与锰（Mn）组成，具有独特的反铁磁特性和稳定的磁学调控能力。在磁性薄膜、硬盘读写头、自旋电子器件、交换偏置结构（Exchange Bias）、电磁学元件等高端领域中具有关键作用。

FeMn 在形成薄膜后可表现出典型的反铁磁行为，与强磁性材料（如 Co、NiFe）配合使用，可实现稳定的交换偏置效应，是现代磁存储器件与传感器中不可或缺的功能材料。

产品详情（Detailed Description）

铁锰靶材采用高纯铁粉与锰粉进行精确比例配比，通过混料、冷等静压（CIP）压制成型，再通过真空烧结（Vacuum Sintering）或热等静压（HIP）实现高致密度结构。制备过程中严格控制氧含量，实现薄膜沉积时的低颗粒、低缺陷与稳定磁性输出。

典型规格参数：

• 纯度（Purity）：99.9%–99.99%

• 常见成分比例（Composition）：

  • Fe50Mn50（典型反铁磁结构材料）

  • Fe40Mn60

  • Fe60Mn40

  • 可按需定制任何 Fe/Mn 比例

• 直径（Diameter）：25–300 mm（支持定制）

• 厚度（Thickness）：3–6 mm（可提供薄靶）

• 致密度（Density）：≥95–99% 理论密度（TD）

• 制造工艺（Process）：CIP + Vacuum Sintering / HIP

• 背板结合（Bonding）：可选 Cu、Ti 背板或铟焊（In Bonding）

材料特点：

• 强反铁磁特性，可与铁磁膜形成交换偏置

• 膜层磁性稳定，可提升磁敏感元件的抗干扰能力

• 膜层均匀性高，适合多层磁性结构与旋磁器件

• 对沉积环境较敏感，但成膜可控性强

• 相容反应性溅射（FeMn-N 多功能膜）

应用领域（Applications）

1. 磁存储器件（Magnetic Storage Devices）

• 读写头（Spin Valve）反铁磁层

• 硬盘磁阻结构（GMR/TMR）

• 自旋阀结构（Spin Valve）

FeMn 是最常用的反铁磁交换偏置材料之一。

2. 磁传感器与自旋电子学（Spintronics & Sensors）

• AMR/GMR/MR 传感器

• 自旋电子器件结构层

• 磁逻辑元件（Spin Logic）

3. 多层功能薄膜结构（Multilayer Thin Films）

• 磁性多层膜的稳定参考层

• 交换偏置结构中的固定层

• 磁域控制膜层

4. 科研与新型磁结构开发（Research & Development）

用于开发：

• 反铁磁薄膜

• 交换偏置效应调控

• 多层磁栅结构

• 新型自旋结构器件

技术参数（Technical Parameters）

常见问题（FAQ）

包装（Packaging）

• 全密封真空包装

• 干燥剂防潮保护

• 多层耐震缓冲材料

• 出口级木箱或硬质纸箱

• 每片靶材均附唯一批号与检测报告

结论（Conclusion）

铁锰靶材（FeMn）是构建磁性薄膜结构与自旋电子器件的重要基础材料。其优秀的反铁磁特性、稳定交换偏置能力及膜层均匀性，使其成为磁存储、磁传感器及先进自旋结构的关键靶材。苏州科跃材料科技有限公司可为客户提供多种成分比例、尺寸与背板结合方式，满足科研与工业应用的高标准需求。

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