钴铽铁靶材（CoTbFe）

产品简介（Introduction）

钴铽铁靶材（CoTbFe）是典型的稀土-过渡金属磁性合金靶材，由钴（Co）、铽（Tb）和铁（Fe）组成。该材料以高矫顽力、强磁光效应、可调磁性和优异热稳定性著称，是磁光存储、GMR/TMR 器件、自旋电子学（Spintronics）以及光磁调制领域的关键薄膜材料。

CoTbFe 薄膜具有优异的磁光 Kerr 效应、可控磁异常、低颗粒率与高膜层致密度，被广泛用于高端磁性与光磁器件的研究与产业化生产。

产品详情（Detailed Description）

钴铽铁靶材采用高纯金属 Co、Tb、Fe，通过真空熔炼、粉末冶金、CIP/HIP（等静压）、高温固相合金化与精密机加工等方式制备，以获得高致密度、高均匀性与极低缺陷的材料品质。

常规规格参数：

• 纯度：99.9% – 99.99%

• 成分比例：CoTbFe（可按磁性需求定制，如 Co40Tb20Fe40、Co30Tb30Fe40、Co25Tb25Fe50 等）

• 尺寸：Φ25–300 mm

• 厚度：3–6 mm（可定制）

• 致密度：≥97%

• 背板键合：铜背板（Cu）、钛背板（Ti）、铟焊（In-bonding）

材料优势：

• 强磁光 Kerr 效应

• 可调磁性（随 Co/Tb 比例变化显著）

• 高温稳定性强

• 膜层均匀性佳、低颗粒率

• 在磁光与自旋器件界面中具有高兼容性

• 低内应力，更适合制备多层结构

应用领域（Applications）

CoTbFe 在磁性与光磁薄膜技术中具有广泛应用，包括：

磁光存储与光学应用

• 磁光存储薄膜（MO materials）

• 光磁调制薄膜

• Kerr 效应器件

• 光隔离器、光调制器

自旋电子学（Spintronics）

• GMR（巨磁阻）薄膜

• TMR（隧穿磁阻）结构

• 自旋阀（Spin Valve）多层膜

• 自旋极化控制层

磁性器件与传感器

• 磁场传感器

• 霍尔器件

• 高磁性功能膜

• 低维磁性材料研究

科研开发与高端薄膜工程

• 稀土磁性调控研究

• 多层异质结构界面工程

• 磁光与磁性叠层结构模拟

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. CoTbFe 靶材的磁性如何调控？
通过调整 Co/Tb 比例可改变磁补偿点、矫顽力与磁饱和强度。

2. 是否适用于 Kerr 磁光应用？
是的，CoTbFe 是磁光薄膜中最常用的材料之一。

3. 与 TbFe 相比有什么优势？
Co 的存在可显著提升导电性与磁补偿范围。

4. 是否可用于 GMR/TMR 结构？
可以，通常作为磁光或磁性调控层使用。

5. 是否支持大尺寸靶材？
可提供 4″、6″、8″、12″ 甚至定制尺寸。

6. 是否带背板？
可提供 Cu / Ti 背板或 Indium bonding。

7. 是否提供检测报告？
出厂随附纯度、成分、密度等检验数据。

包装与交付（Packaging）

• 真空封装防氧化

• 防震泡棉保护

• 出口级木箱 / 强化抗压包装

• 每个靶材具备唯一追溯编码

确保运输过程中的洁净、安全与稳定性。

结论（Conclusion）

钴铽铁靶材（CoTbFe）凭借其卓越的磁光效应、可控磁性与优异薄膜性能，在磁光存储、自旋电子学和先进磁性器件中具有不可替代的价值。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密度、多比例可选的 CoTbFe 靶材，满足科研与产业化应用需求。

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