碲化钼靶材（MoTe）

产品简介（Introduction）

碲化钼（MoTe）是一类重要的过渡金属碲化物材料，属于二维层状半导体体系（Transition Metal Dichalcogenides, TMDCs）。MoTe 具有独特的电子结构、可调节的带隙、优异的光电性能和良好的薄膜沉积稳定性，是红外光探测、光电器件、可调谐开关器件及新型二维材料研究的重要薄膜材料。

在磁控溅射薄膜沉积领域，MoTe 靶材可形成成分均匀、致密度高的 Mo–Te 薄膜，适用于探索金属相与半导体相转变（1T′/2H 相）、制备红外响应薄膜、以及与 MoS₂、MoSe₂ 等材料形成异质结构。

产品详情（Detailed Description）

科跃材料提供的 MoTe 溅射靶材采用高纯金属钼与高纯碲在真空条件下进行固相反应，通过冷等静压（CIP）、热压（HP / HIP）、真空烧结等工艺精制而成。靶材具有良好的化学均匀性、较高致密度和稳定的溅射性能。

可提供规格：

• 纯度：99.9% – 99.999%（3N–5N）

• 尺寸范围：直径 25–300 mm；厚度 3–6 mm，可完全按图纸定制

• 密度：≥ 95% 理论密度，提升薄膜致密度、膜层均匀性

• 制造工艺：CIP、HP、HIP、真空固相反应、精细加工

• 背板选择：铜（Cu）、钛（Ti）背板，支持铟焊/扩散焊工艺

• 形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、多段靶等定制结构

性能特点：

• 具有优异的成分稳定性与电学一致性

• 适用于制备 2D 层状结构薄膜

• 溅射速率可控，适合科研和量产设备

• 高致密度减少颗粒脱落与膜层缺陷

应用领域（Applications）

MoTe 靶材应用于多个高端薄膜技术领域，包括：

• 二维材料研究（2D Materials）：用于制备 MoTe₂、实现 1T′ / 2H 相转变研究

• 红外探测器薄膜（Infrared Detectors）

• 光电器件（Photodetectors / Photovoltaic Films）

• 场效应晶体管（TFT / FET）

• 异质结构薄膜（Heterostructures）：与 MoS₂、WS₂、MoSe₂ 组合

• 半导体与纳米材料研发

Mo–Te 薄膜具有可调节带隙、良好的载流子迁移率以及先进的光电转换能力，是前沿电子材料的重要研究对象。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

每件 MoTe 靶材在出厂前均进行外观、尺寸、纯度、密度与成分检测，并附唯一追溯编号。
包装包括：

• 真空密封防潮铝箔袋

• 防震泡沫固定

• 出口级木箱保护

确保靶材在长距离运输中保持洁净与完整。

结论（Conclusion）

碲化钼靶材（MoTe）凭借其可调变的电子结构、优异的光电特性和良好的薄膜制备性能，在二维材料、红外探测、光电器件以及前沿半导体技术中具有重要价值。科跃材料可根据不同科研或工业应用提供定制化 MoTe 靶材解决方案。

如需了解更多技术规格或索取报价，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com