碲化砷靶材（AsTe）

产品简介（Introduction）

碲化砷（AsTe）是一种由砷（As）与碲（Te）组成的二元化合物材料，属于典型的 V–VI 族半导体体系。AsTe 具有独特的光电特性、可调的能带结构、较高的红外吸收能力，并在光电探测、红外成像、热电薄膜及新型功能材料领域具有重要研究价值。

碲化砷靶材（AsTe Sputtering Target）可通过磁控溅射沉积高纯度、致密且均匀的 AsTe 薄膜，广泛用于红外光电器件、功能薄膜工程、热电材料开发以及复杂多层薄膜结构中的关键功能层。

产品详情（Detailed Description）

AsTe 靶材通常采用以下高纯工艺制备：

• 高纯元素直接合成（Direct Synthesis）

• 真空密闭烧结（Vacuum Encapsulated Sintering）

• 固相反应烧结（Solid-State Reaction）

• 热压烧结（Hot Pressing, HP）

• CIP + 高温致密化工艺

典型产品属性：

• 纯度：99.9%–99.999%（3N–5N）

• 化学计量比：As:Te = 1:1（可根据需求微调化学计量）

• 外观：深灰色或黑色陶瓷质感

• 致密度：≥95%–98% 理论密度

• 晶体结构：随成分变化呈半导体型结构

• 尺寸：直径 25–300 mm 或矩形靶

• 厚度：3–6 mm

• 背板结合（可选）：Cu / Ti / In bonding

材料优势：

• 成膜均匀性好

• 高纯度降低缺陷与颗粒

• 化学稳定性优于单质砷或碲

• 适合高真空与常见溅射系统

• 可用于中红外功能薄膜制备

应用领域（Applications）

● 红外光电探测（Infrared Photodetectors）

由于 AsTe 的独特光吸收特性与合适的带隙，可用于：

• 中红外（MIR）探测薄膜

• 热成像器件

• 微光探测层

• 光敏薄膜与光信号转换层

与 Te 系材料相比，AsTe 稳定性更高，薄膜均匀度更佳。

● 热电材料（Thermoelectric Thin Films）

AsTe 属于典型的 V–VI 热电系统，可应用于：

• 热电发电薄膜

• 低维热电结构

• 温差能量采集器件

其载流子浓度和迁移率可通过工艺进一步调控。

● 功能复合薄膜（Functional Multilayer Films）

在复杂的多层结构中常作为：

• 能带调控层

• 光吸收增强层

• 中间层与界面修饰层

• 低维结构中的异质结材料

适用于先进光电与纳米器件研究。

● 材料科学与半导体研究（Research Applications）

AsTe 常用于：

• V–VI 族半导体能带研究

• 光吸收机制分析

• 热电性能调控

• 新型光子器件原型验证

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空封装防氧化设计

• 防静电袋洁净包装

• 多层缓冲抗震保护

• 出口级木箱固定

• 附带纯度、密度、尺寸与成分检测报告

确保运输与长期储存中的稳定性与洁净度。

结论（Conclusion）

碲化砷靶材（AsTe）凭借其优异的红外光电性能、热电特性及稳定的化学结构，在红外探测、热电能源、光电功能薄膜及新型材料研究中具有重要意义。使用高纯度、高致密度的 AsTe 靶材，可大幅提升薄膜质量及器件性能，是科研和产业应用不可或缺的核心材料之一。

如需进一步技术资料或获取报价，请联系：
📩 sales@keyuematerials.com