硒化镓靶材（GaSe）

产品简介（Introduction）

硒化镓（GaSe）是一种典型的 III–VI 族层状半导体材料，具有可调带隙、高光吸收系数、优异的非线性光学特性以及良好的光电转换能力。GaSe 以其独特的层状结构（van der Waals layered structure）而闻名，适用于红外光电器件、二维材料研究、光学调制、非线性光学晶体及先进薄膜技术领域。

作为磁控溅射靶材，GaSe 能稳定沉积高致密度、成分均匀的 Ga–Se 薄膜，可用于构建高性能光电器件、多层异质结构薄膜以及新型二维材料体系。

产品详情（Detailed Description）

科跃材料提供的 GaSe 溅射靶材采用高纯镓与高纯硒，通过真空固相反应、冷等静压（CIP）、热压烧结（HP/HIP）及精密机械加工制备而成。此工艺确保靶材具有优良的化学均匀性、高致密度和稳定的溅射性能。

可选规格：

• 纯度：99.9% – 99.999%（3N–5N）

• 尺寸范围：直径 Ø25–300 mm；厚度 3–6 mm，可定制

• 密度：≥ 95% 理论密度

• 制造工艺：CIP、HP/HIP、真空固相反应、精密研磨

• 背板结合：铜（Cu）或钛（Ti）背板；可选择铟焊或扩散焊工艺

• 形状支持：圆靶、矩形靶、阶梯靶、多段靶等

靶材优势：

• 层状材料稳定、溅射成分控制性好

• 高纯度降低薄膜缺陷、提升光电性能

• 致密度高，不易掉粉，膜层均匀性好

• 溅射适用性广，兼容 RF 与 DC 工艺

应用领域（Applications）

GaSe 靶材常用于制备以下先进薄膜与器件：

• 二维 GaSe 薄膜（2D Materials）

• 非线性光学薄膜（NLO Films）

• 光电探测器（Photodetectors）

• 红外光学器件（IR Optoelectronics）

• 光调制器、光电晶体管（Optoelectronic Transistors）

• 范德华异质结构（vdW Heterostructures）：如 GaSe/MoS₂、GaSe/WS₂

• 功能半导体薄膜、光伏研究

GaSe 以其强非线性系数（第二谐波产生 SHG）被广泛用于光学芯片及量子通信器件研究。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

每块 GaSe 溅射靶材均经过：

• ICP 纯度测试

• 密度与孔隙率检测

• XRD 相组成验证

• 尺寸与表面平整度检查

并以以下方式包装：

• 真空密封袋

• 防震缓冲材料

• 出口级木箱

确保运输过程中的安全与洁净度。

结论（Conclusion）

硒化镓靶材（GaSe）凭借其强非线性光学特性、优异的光电性能以及稳定的层状结构，已成为光电器件、二维材料研究及非线性光学芯片的重要靶材之一。高纯度、高致密度的 GaSe 靶材可显著提升薄膜质量，是科研机构与高端制造的可靠选择。

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