硒化铜镓靶材（CuGaSe）

产品简介（Introduction）

硒化铜镓（CuGaSe）靶材是一类重要的多元化合物半导体材料，具有优异的光电转换效率、高吸收系数以及稳定的薄膜成膜能力。在太阳能电池、光学镀膜及半导体器件研发领域中占据关键地位，尤其适用于制备铜镓硒（CIGSe）及相关化合物薄膜，是高性能光伏器件的重要基础材料。其高纯度、致密度和良好的化学均匀性可确保薄膜具有更高的光吸收能力、更低的缺陷密度及更稳定的电学性能。

产品详情（Detailed Description）

硒化铜镓靶材通常采用高纯原料在真空环境下通过热压烧结（HP）、冷等静压（CIP）结合高温固相反应等工艺制备而成。靶材纯度一般可达 99.9%–99.999%，可根据客户需求提供圆形靶、矩形靶及特种结构靶材。

• 纯度：99.9%–99.999%（3N–5N）可选

• 尺寸范围：直径 25–300 mm；厚度 3–6 mm；可按图纸定制

• 密度：接近理论密度，有利于提高薄膜致密性及沉积均匀性

• 制造工艺：CIP、HP/HIP、高温固相反应等

• 结合背板：可提供铜、钛背板，支持铟焊或扩散焊，提高溅射过程中的散热效率、稳定性及膜厚均匀性

这些参数共同作用，使 CuGaSe 靶材在磁控溅射薄膜沉积中具有优良的成膜速率、薄膜平整性及光电性能表现。

应用领域（Applications）

CuGaSe 靶材广泛应用于高端薄膜技术，典型用途包括：

• 薄膜太阳能电池（CIGSe）：作为关键吸收层材料，提高光吸收效率与转换效率

• 光学镀膜：形成具有选择性吸收与反射特性的薄膜

• 半导体器件：用于制备光电探测器、红外器件与薄膜传感器

• 科研实验：作为多元化合物薄膜材料研究的重要靶材，用于能带调控与材料组合研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 CuGaSe 靶材均在出厂前经过严格质量检测，并贴附唯一追溯标签。产品采用真空密封包装、防震泡沫及出口级木箱外包装，确保在运输与储存过程中保持洁净与完整。

结论（Conclusion）

硒化铜镓靶材凭借其优异的光电性能、高纯度及良好的成膜特性，在光伏、半导体与光学镀膜领域具有不可替代的价值。对于追求高转换效率和稳定薄膜质量的科研院所和企业而言，CuGaSe 是理想的复合半导体靶材解决方案。