硒化铌靶材（NbSe）

产品简介（Introduction）

硒化铌（NbSe）是一种具有层状晶体结构的过渡金属硒化物（TM Se 系列），兼具优异的电学性能、可调节带隙、强各向异性以及稳定的化学性质。NbSe 在二维材料研究、超导薄膜、电学存储、光电探测与半导体器件中具有重要地位，尤其在研究低维超导现象、范德华异质结构和新型量子材料领域应用广泛。

作为磁控溅射靶材，NbSe 可在 PVD 工艺中形成成分均匀、结构致密的 Nb–Se 薄膜；通过后处理还可获得 NbSe₂ 等高质量层状结构薄膜，适用于先进电子器件、光电器件和科研实验的薄膜制备。

产品详情（Detailed Description）

科跃材料提供的 NbSe 溅射靶材采用高纯铌与高纯硒原料，通过真空固相反应、冷等静压（CIP）、热压烧结（HP/HIP）及精密机械加工制备而成。靶材化学成分均匀、致密度高、溅射稳定性好。

规格可选：

• 纯度：99.9% – 99.999%（3N–5N）

• 尺寸范围：直径 Ø25–300 mm；厚度 3–6 mm；可完全按图纸定制

• 密度：≥ 95% 理论密度，减少颗粒脱落、提升薄膜均匀性

• 制造工艺：CIP、HP/HIP、真空固相反应、高精度研磨

• 背板选择：铜（Cu）、钛（Ti）背板；可提供铟焊或扩散焊

• 形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、多段靶等

靶材特点：

• 高纯度、低氧含量，提升薄膜电学性能

• 具有优良的热稳定性与化学稳定性

• 可形成层状结构 NbSe₂ 薄膜，适用于 2D 材料研究

• 溅射速率稳定，适用于科研和量产设备

应用领域（Applications）

NbSe 溅射靶材可用于制备以下类型的薄膜和器件：

• 二维材料 NbSe₂ 薄膜（2D Materials）

• 超导薄膜研究（Superconducting Films）

• 光电探测器（Photodetectors）

• 范德华异质结构（vdW Heterostructures）

• 半导体功能薄膜

• 非线性光学材料

• 量子材料与量子器件研究

NbSe₂ 具有低维超导特性，是近年来量子材料与低温电子学研究的热点材料之一。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

所有 NbSe 溅射靶材出厂前均经过严格检测，包括：

• ICP 纯度测试

• 密度与孔隙率检测

• 相组成分析（XRD）

• 尺寸、平整度与外观检查

包装采用：

• 真空密封袋

• 防震泡沫

• 出口级木箱

确保靶材在运输与储存中保持高度洁净和稳定。

结论（Conclusion）

硒化铌靶材（NbSe）以其优异的电学特性、层状结构和良好的薄膜沉积性能，在二维材料、超导薄膜、光电探测器和量子材料研究中发挥着越来越重要的作用。科跃材料提供高纯度、高致密度、可定制的 NbSe 靶材，是科研与产业客户的高可靠选择。

如需了解更多规格或获取报价，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com