描述

砷化镉靶材（CdAs）

产品简介（Introduction）

砷化镉（CdAs）是一类由镉（Cd）与砷（As）构成的 II–V 族化合物材料，具有窄带隙半导体特性、优良的光吸收能力、较高的载流子迁移率以及良好的化学稳定性。Cd-As 系列材料在红外探测、光电转换、薄膜光子结构以及功能半导体研究中具有重要意义。

砷化镉靶材（CdAs Sputtering Target）适用于磁控溅射制备 CdAs 功能薄膜，可实现成分均匀、膜层致密、界面清洁的高性能薄膜制备，是科研机构、光电材料实验室及半导体企业的重要材料选择。

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产品详情（Detailed Description）

CdAs 靶材通常采用以下制造工艺：

• Cd 与 As 元素直接合成（Sealed Ampoule Direct Synthesis）

• 固相反应与稳定烧结（Solid-State Reaction）

• 真空热压烧结（Vacuum Hot Pressing, HP）

• CIP 等静压成型 + 高温致密化工艺

典型产品参数：

• 纯度：99.9%–99.999%（3N–5N）

• 化学计量比：Cd:As = 1:1（可提供偏 As / 偏 Cd）

• 外观：深灰—黑灰色陶瓷质外观

• 致密度：≥95–98% 理论密度（TD）

• 尺寸：直径 25–300 mm，矩形靶可定制

• 厚度：3–6 mm

• 背板结合（可选）：Cu / Ti / Mo / Indium Bonding

材料特点：

• 高纯低氧，适用于高端薄膜制备

• 成分均匀性优良，溅射稳定

• 界面平滑、颗粒率低

• 可用于 UHV、MBE、RF Sputter 等多种系统

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应用领域（Applications）

● 红外探测薄膜（Infrared Detection Films）

Cd-As 系列属于窄带隙 IR 半导体，可用于：

• SWIR / MWIR 方向的红外敏感薄膜

• 红外增强吸收层

• 光热响应材料

• 热成像器件前置薄膜

可作为 InAs、CdTe 等材料的搭配层。

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● 光电薄膜器件（Optoelectronic Devices）

CdAs 薄膜可用于：

• 光电探测器

• 光敏转换层

• 薄膜光学结构

• 多层光子器件叠层

其带隙可通过化学计量微调。

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● 半导体功能薄膜（Semiconducting Functional Thin Films）

CdAs 适合作为：

• 异质结调控层

• 功能界面材料

• 电子/光学性能调控薄膜

• 非线性光学材料研究层

用于 III–V、II–VI 材料体系的创新结构。

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● 量子材料（Quantum Materials）

由于特殊电子结构，CdAs 在以下方向具有潜力：

• 新型窄带隙体系理论验证

• 拓扑材料研究

• 低维量子结构

• 高迁移率薄膜器件原型设计

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技术参数（Technical Parameters）

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相关材料对比（Comparison with Related Materials）

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常见问题（FAQ）

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包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 防静电双层包装

• 多层缓冲防震

• 出口标准木箱保护

• 附带纯度/成分/XRD/密度等检测报告

确保靶材在运输与储存期间保持高洁净度。

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结论（Conclusion）

砷化镉靶材（CdAs）凭借其窄带隙光电特性、高纯度、良好成膜性能及电子结构优势，是红外探测、光电研究、功能薄膜与量子材料研究中的关键材料。使用高致密、高纯靶材能显著提升薄膜质量，是科研与产业应用的理想选择。

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