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氮化铝（Aluminum Nitride，AlN）是一种性能卓越的Ⅲ族氮化物陶瓷材料，具有极高的热导率、优异的电绝缘性能、宽禁带特性以及良好的化学稳定性。AlN 在半导体、功率电子、射频器件、LED 以及高散热薄膜结构中发挥着关键作用，是先进电子与光电器件中不可或缺的重要材料。
采用磁控溅射工艺使用 AlN 靶材，可稳定制备致密、均匀、低缺陷的氮化铝薄膜，广泛应用于绝缘层、缓冲层、热管理层及功能薄膜制备。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、规格可定制的氮化铝溅射靶材，适配多种 PVD 工艺需求。
纯度：99.9%（3N）– 99.999%（5N）
化学组成：AlN
尺寸范围：Φ25–300 mm
厚度范围：3–6 mm（可定制更薄或更厚）
形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、异形靶
制造工艺：热压烧结（HP）、真空烧结、CIP/HIP
致密度：≥95% 理论密度
背板结合：Cu / Al / Ti 背板，支持铟焊（Indium Bonding）
热导率高（适合散热薄膜与热管理应用）
宽禁带（~6.2 eV），优异电绝缘性能
薄膜应力可控，适合大面积沉积
与 Si、SiC、GaN、Al₂O₃ 等基底兼容性好
化学稳定性强，耐高温、耐腐蚀
氮化铝（AlN）溅射靶材广泛应用于以下领域：
用于功率模块、IGBT、MOSFET 等器件中的高可靠绝缘薄膜。
作为散热层用于高功率电子与 LED 器件。
在 GaN-on-Si、GaN-on-SiC 结构中作为关键缓冲层材料。
AlN 具有良好的压电性能，适用于声表面波与体声波器件。
用于 LED、Micro-LED、显示器件中的功能薄膜结构。
用于氮化物薄膜结构、电学与热学性能研究。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 高纯度可显著降低薄膜缺陷 |
| 化学组成 | AlN | 稳定单一相 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配主流溅射系统 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶材寿命与沉积稳定性 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜致密性与均匀性 |
| 背板 | Cu / Al / Ti / 铟焊 | 改善散热与机械稳定性 |
| 材料 | 主要特点 | 典型应用 |
|---|---|---|
| AlN | 高热导、绝缘性优异 | 散热层、绝缘层 |
| Si₃N₄ | 机械强度高 | 保护层、结构膜 |
| GaN | 高电子迁移率 | 功率器件 |
| Al₂O₃ | 成熟稳定、成本低 | 绝缘与光学膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| AlN 靶材适合 RF 还是 DC 溅射？ | 通常推荐 RF 磁控溅射。 |
| AlN 薄膜是否导电？ | 不导电，AlN 是优良的电绝缘材料。 |
| 是否适合高功率电子散热？ | 是，AlN 具有优异的热导率。 |
| 是否支持大尺寸靶材？ | 支持 8″ / 12″ 及更大尺寸定制。 |
| 是否提供背板铟焊结构？ | 支持 Cu / Al / Ti 背板与铟焊。 |
| 是否可提供检测报告？ | 可提供 ICP、密度、尺寸等检测文件。 |
真空密封包装
干燥剂防潮保护
防震泡沫固定
出口级纸箱或木箱
每片靶材附唯一溯源码与质检记录
氮化铝靶材（AlN）凭借其卓越的热导率、电绝缘性能与化学稳定性，在高功率电子、半导体器件、声学元件及先进薄膜工艺中占据核心地位。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制规格的 AlN 溅射靶材，为科研与工业客户提供稳定可靠的材料支持。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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