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碲化钼蒸发材料(Molybdenum Telluride Evaporation Material,MoTe)是一种由钼(Mo)与碲(Te)组成的过渡金属硫族化合物(TMD)蒸发材料,主要用于真空热蒸发与电子束蒸发(E-beam Evaporation)等 PVD 薄膜沉积工艺。MoTe 以其多晶相可切换特性(如 2H / 1T′ / Td)、强自旋–轨道耦合以及在拓扑与相变研究中的独特地位,成为二维材料与前沿量子物性研究的重点体系之一。
在需要薄膜具备相可控、低维层状结构、各向异性电输运或拓扑相关物性的科研应用中,碲化钼是一类研究导向清晰、物性潜力突出的高端蒸发材料选择。
碲化钼蒸发材料通常采用高纯钼与高纯碲为原料,通过真空合成或受控反应工艺制备形成稳定的 Mo–Te 化合物相(常见为 MoTe₂),并在生产、加工与封装过程中严格控制氧、碳及水分等杂质含量,以确保蒸发过程中的化学计量稳定性与成膜可重复性。
纯度等级:99.9%(3N)–99.99%(4N),面向科研与前沿功能薄膜
材料体系:Mo–Te(TMD 类,常见为 MoTe₂,相结构可指定)
结构特征:层状晶体结构,适合二维与低维研究
物性亮点:多相共存/相变可控,具备拓扑半金属与相变材料潜力
成膜优势:化合物蒸发有助于保持成分同步沉积,降低偏析风险
供货形态:颗粒、块状或定制形态,兼容电子束坩埚、钼舟及钨舟
通过调控蒸发功率、沉积速率、基底温度与后处理条件,可获得相结构可调、结晶质量稳定的 MoTe 薄膜。
碲化钼蒸发材料主要应用于前沿量子与功能薄膜研究领域,包括:
二维与层状材料研究:MoTe₂ 薄膜与低维物性探索
相变与结构调控研究:2H ↔ 1T′ / Td 相变行为
拓扑量子材料:拓扑半金属/边界态研究
自旋电子学与量子输运:强 SOC 体系与各向异性输运
异质结构与多层薄膜:与石墨烯、绝缘层等构建异质结
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 材料体系 | Mo–Te(TMD 类) | 决定相结构与量子物性 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 影响缺陷密度与相稳定性 |
| 晶体结构 | 层状(如 MoTe₂:2H / 1T′ / Td) | 低维与相变来源 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 | 适配不同蒸发源 |
| 蒸发方式 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 碲化钼蒸发材料(MoTe) | 多相可控、拓扑潜力 | 相变与量子研究 |
| 二硫化钼(MoS₂) | 带隙稳定 | 二维电子器件 |
| 二硒化钼(MoSe₂) | 光学响应好 | 光电子学 |
| 碲化钨(WTe₂) | 拓扑半金属 | 量子输运研究 |
Q1:MoTe 蒸发材料适合哪种沉积方式?
A:适用于热蒸发与电子束蒸发,电子束蒸发更利于高熔点组分与速率控制。
Q2:MoTe 的核心研究价值是什么?
A:其多晶相可切换特性及在拓扑与相变材料研究中的重要性。
Q3:是否主要用于科研用途?
A:是的,目前主要面向二维材料、拓扑与相变等前沿研究。
Q4:是否可指定相结构或化学计量?
A:可以,可提供 MoTe、MoTe₂ 及指定 Te 富集/缺失比例。
Q5:膜层附着力如何?
A:在 Si、SiO₂、蓝宝石等常见基底上具有良好附着性能。
Q6:是否适合二维材料研究?
A:非常适合,MoTe₂ 是典型的层状 TMD 体系。
Q7:是否可用于多层或异质结构?
A:可以,常与二维材料或绝缘层组合构建功能异质结。
Q8:科研中常见研究方向有哪些?
A:相变行为、拓扑态、各向异性输运与界面工程研究。
所有碲化钼蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测,并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防潮、防震缓冲及出口级包装方案,确保在运输与储存过程中保持材料的高纯度、化学稳定性与结构完整性。
碲化钼蒸发材料(MoTe)凭借其可控相结构、层状低维特性以及在拓扑与相变材料领域的独特地位,在前沿量子材料与功能薄膜研究中展现出显著科研价值。对于聚焦二维材料、相变调控或拓扑量子态探索的真空蒸发应用,MoTe 是一类研究指向清晰、物性潜力突出的高端蒸发材料选择。
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