铜铟蒸发材料（CuIn）

产品详情（Detailed Description）

铜铟蒸发材料通常选用高纯铜与高纯铟为原料，通过真空熔炼或合金化工艺制备，确保合金成分分布均匀、组织致密、杂质含量严格受控。

• 纯度等级：常见为 99.9%（3N）–99.99%（4N），满足高端光电薄膜沉积需求

• 合金比例：Cu/In 比例可按质量比或原子比定制，用于精确控制薄膜的化学计量比

• 蒸发特性：铟熔点较低，有利于降低整体蒸发温度，扩大工艺窗口

• 成膜一致性：合金化设计可有效降低多源蒸发中的成分偏差

• 供货形态：颗粒、块状、片状或定制形态，适配钨舟、钼舟及电子束坩埚等多种蒸发源

通过合理的材料设计，CuIn 蒸发材料可实现高重复性、高均匀性的薄膜沉积效果。

应用领域（Applications）

铜铟蒸发材料在多个半导体与光电薄膜领域中具有典型应用，包括：

• 薄膜太阳能电池：CIS / CIGS 吸收层前驱金属薄膜

• 半导体薄膜沉积：功能金属层、化合物薄膜前驱层

• 光电与显示技术：光吸收层、电极相关薄膜

• 科研与实验室应用：多元化合物薄膜、成分与结构调控研究

• 新型能源材料：光伏与光电转换相关薄膜体系

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

Q1：CuIn 蒸发材料主要用于哪些工艺？
A：主要用于热蒸发与电子束蒸发，广泛应用于光伏和光电薄膜制备。

Q2：CuIn 在 CIGS 工艺中起什么作用？
A：作为铜与铟的合金前驱层，帮助实现均匀、可控的元素分布。

Q3：合金比例可以定制吗？
A：可以，根据目标化学计量比和器件结构定制 Cu/In 比例。

Q4：与分开蒸发 Cu 和 In 相比有何优势？
A：CuIn 合金可降低成分波动，提高薄膜一致性和工艺重复性。

Q5：是否适合大面积沉积？
A：适合，蒸发行为稳定，适用于实验室和中试规模。

Q6：膜层附着力如何？
A：对玻璃、金属及多种半导体基底具有良好附着性能。

Q7：是否可与 Ga、Se 等材料配合使用？
A：可以，常与 Ga、Se 共蒸发或后续硒化形成 CIGS 薄膜。

Q8：科研应用中常见用途有哪些？
A：薄膜太阳能、电学与光学性能调控及新型光电材料研究。

包装与交付（Packaging）

所有铜铟蒸发材料在出厂前均经过成分、尺寸与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封包装，结合防震缓冲材料与出口级包装方案，确保在运输与储存过程中保持高纯度与稳定性能。

结论（Conclusion）

铜铟蒸发材料（CuIn）凭借其在光伏与光电薄膜领域中的关键作用、稳定的蒸发行为以及优异的成分可控性，已成为 CIS / CIGS 等薄膜体系中的重要基础材料。对于需要高一致性、多组分控制及成熟工艺窗口的真空蒸发应用，CuIn 是一种工程成熟且值得信赖的蒸发材料选择。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com