锶铋靶材(SrBi)

锶铋靶材(SrBi)

产品简介(Introduction)

锶铋靶材(SrBi)是一种具有特殊电学与光学性能的碱土金属–重金属复合靶材,由锶(Sr)与铋(Bi)组成。该材料可形成具有优秀介电特性、铁电性或光电响应的薄膜结构,因此在电介质器件、铁电薄膜设计、光电功能层以及复杂氧化物薄膜研究中具有重要应用价值。

Sr 与 Bi 的协同作用可有效改变晶体结构、介电常数与电学性能,使其成为先进薄膜材料与科研开发中的常见靶材之一。


产品详情(Detailed Description)

苏州科跃材料科技有限公司供应的锶铋靶材(SrBi),采用高纯氧化锶、氧化铋或金属锶、铋粉末进行精准配比,通过冷等静压(CIP)成型、热压烧结(Hot Pressing)或热等静压(HIP)致密化工艺生产。
靶材结构均匀、致密度高,可稳定应用于 RF、DC 以及脉冲溅射等 PVD 工艺。

典型规格:

  • 纯度:99.9%(3N)– 99.99%(4N)

  • 密度:≥ 97–99% 理论密度(T.D.)

  • 尺寸:Ø25–Ø300 mm(可定制方靶、矩形靶、阶梯靶)

  • 厚度:3–6 mm,可按需定制

  • 配比:Sr:Bi 原子比、摩尔比可定制

  • 工艺:CIP + 热压 / HIP

  • 背板(Bonding):Cu / Ti / Mo 背板,支持铟焊(In Bonding)

性能优势:

  • 稳定的介电性能

  • 与 Bi 复合后增强薄膜致密性与电学均匀性

  • 结构可控、成分均匀

  • 表面平整光洁 → 提升膜层附着性与溅射稳定性

  • 支持反应性溅射与多气氛沉积


应用领域(Applications)

锶铋靶材常用于以下薄膜与器件制备:

  • 铁电薄膜(如 SrBi₂Ta₂O₉ 系 SBT 薄膜的基础组分)

  • 高介电常数(High-k)薄膜

  • 光电材料薄膜

  • 氧化物半导体研究

  • 非易失存储器(FeRAM)开发

  • 先进功能氧化物设计(Sr–Bi–O / Sr–Bi–M–O 系薄膜)

  • 透明功能膜 / 结构调控膜

特别是在 层状铁电材料(Aurivillius 结构) 相关研究中,SrBi 系材料是核心前驱靶材。


技术参数(Technical Parameters)

参数 范围 / 典型值 说明
纯度 99.9%–99.99% 杂质越低,薄膜介电损耗越小
致密度 ≥97–99% T.D. 提升薄膜一致性与结构稳定性
尺寸 Ø25–Ø300 mm 兼容各类溅射卡盘
厚度 3–6 mm 可按设备寿命优化
背板 Cu / Ti / Mo / In 改善散热与机械强度

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 应用
SrBi 电学性能可调,属于 SBT 系核心材料 铁电薄膜、FeRAM
SrBi₂Ta₂O₉(SBT) 典型铁电材料 非易失存储器
BiFeO₃ 强铁电 + 多铁性 磁电耦合薄膜
SrTiO₃(STO) 高介电常数 外延薄膜、衬底应用

常见问题(FAQ)

问题 答案
SrBi 靶材可用于 RF 和 DC 溅射吗? 是的,两种方式均兼容。
Sr:Bi 比例可以定制吗? 可以按科研需求自由调整。
适用于哪些介电薄膜? 铁电 SBT 系、Sr–Bi–O、复合介电结构等。
是否支持背板? 提供 Cu/Ti/Mo 背板与铟焊。
是否提供检测报告? 每批靶材均附成分分析与密度报告。

包装与交付(Packaging)

  • 真空密封防污染

  • 防震泡棉保护

  • 外层出口标准木箱

  • 每片附唯一批号与 COA


结论(Conclusion)

锶铋靶材(SrBi)在铁电薄膜、高介电常数材料以及层状功能氧化物研究中具有极高价值,是科研机构与先进制造工艺的重要材料之一。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密、可定制配比与尺寸的 SrBi 靶材,满足各种薄膜制备需求。

如需报价,请联系:
📧 sales@keyuematerials.com