钨铌靶材(WNb)

钨铌靶材(WNb)

产品简介(Introduction)

钨铌靶材(WNb)由高熔点金属钨(W)与延展性优良的铌(Nb)组成,是一种兼具高温强度、优异耐腐蚀性与稳定电学性能的高端溅射靶材。W 与 Nb 的协同作用,使其成为先进微电子器件、阻挡层薄膜、高温结构膜以及耐腐蚀涂层的关键材料。

凭借极高密度、良好致密性和薄膜均匀性,WNb 靶材在半导体、光电、显示、能源领域广泛使用,是高要求薄膜工艺中的重要合金材料之一。


产品详情(Detailed Description)

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密 WNb 靶材,采用真空熔炼、CIP 等静压、热等静压(HIP)等先进工艺制备,确保合金结构均匀、无裂纹、无夹杂,适合长周期稳定溅射。

典型规格:

  • 成分比例:常见 W90Nb10、W80Nb20、W70Nb30(可根据工艺需求定制)

  • 纯度:99.9%(3N)– 99.99%(4N)

  • 密度:≥ 97–99% T.D.

  • 尺寸范围:Ø25–Ø300 mm(可定制矩形靶)

  • 厚度:2–6 mm

  • 制造工艺:CIP + 真空烧结 / HIP 致密化

  • 可选背板:Cu、Mo、Ti,支持铟焊(Indium Bonding)

性能优势:

  • 高熔点与优异热稳定性

  • 低电阻率、薄膜结构均匀

  • 出色的耐腐蚀 / 抗化学反应能力

  • 良好附着性与薄膜致密度

  • 适合长时间高负载溅射


应用领域(Applications)

由于其高温、耐腐蚀与电学稳定特点,WNb 靶材广泛用于:

  • 半导体阻挡层(Barrier Layers)

  • 电极金属膜(Electrode Thin Films)

  • 耐腐蚀保护膜

  • 显示与光电薄膜结构(Optoelectronics)

  • 金属功能薄膜(Functional Metallic Films)

  • 高温结构膜

  • 新型微电子封装材料

WNb 是许多高端器件金属结构层的标准选择之一。


技术参数(Technical Parameters)

参数 数值 / 范围 说明
成分比例 WNb(可定制) 控制薄膜应力与电学性能
纯度 99.9%–99.99% 高纯度保证薄膜质量
致密度 ≥97–99% T.D. 提升膜层均匀性
直径 25–300 mm 兼容主流溅射设备
厚度 2–6 mm 可按寿命定制
背板 Cu / Ti / Mo / In 增强散热与结构稳定性

相关材料对比(Comparison with Related Materials)

材料 特点 应用
WNb 高温性能优异、耐腐蚀 阻挡层、金属功能膜
W 极高熔点、耐磨 高温薄膜、栅极材料
Nb 高延展性、低电阻率 电极膜、超导材料
MoNb 高温结构更稳定 功能膜与半导体金属层

常见问题(FAQ)

问题 答案
WNb 靶材适合哪些溅射方式? DC、RF、脉冲溅射均可使用。
W/Nb 比例能否定制? 可根据薄膜应力、电阻率需求调整比例。
是否提供背板? 提供 Cu、Ti、Mo 背板及铟焊服务。
WNb 薄膜颜色如何? 通常呈深灰色金属光泽。
是否会出现成分偏析? 高均匀性工艺可避免偏析,薄膜一致性好。
可用于高温薄膜吗? 适合,需要高热稳定性的薄膜结构优先选择。
是否适用于大面积镀膜? 是,提供大尺寸靶材(≤300 mm)。
是否可提供 COA? 每批出厂均附检测报告与编号追溯。

包装与交付(Packaging)

  • 真空密封

  • 内部抗震泡棉

  • 外层出口级防护木箱

  • 每片靶材附唯一批号与 COA


结论(Conclusion)

钨铌靶材(WNb)凭借其卓越的高温强度、耐腐蚀性与电学稳定性,已成为高端半导体金属层、电极薄膜和保护膜的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密、尺寸与成分可定制的 WNb 靶材,满足科研与产业薄膜制备需求。

如需报价,请联系:
📧 sales@keyuematerials.com