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硅银靶材（SiAg）是一种兼具导电性、化学稳定性与优良薄膜结构控制能力的复合靶材，常用于半导体工艺、光学镀膜、电接触层制备等高端薄膜技术领域。通过合理的硅与银比例组合，SiAg 靶材能够在薄膜沉积中实现更均匀的成膜质量，改善晶粒结构，并提升耐热与耐腐蚀性能。
在现代电子制造中，SiAg 作为关键薄膜材料之一，可用于提升器件的导电性、稳定性及耐久性。
硅银靶材通常采用高纯原料，经真空热压、热等静压（HIP）、冷等静压（CIP）或高温烧结制备，具有高致密度和优良的微结构均匀性。
可提供参数包括：
纯度：99.9%–99.99%
尺寸：Φ25–Φ300 mm（支持矩形、圆形及定制）
厚度：3–6 mm（可按设备要求调整）
致密度：> 97%
背板选项：铜背板、钛背板、铟焊键合
背板可有效提高热导率，减少溅射过程中的热点，延长靶材寿命。
技术性能优势：
促进膜层晶粒细化，提升薄膜稳定性；
提高薄膜电学性能，如降低电阻率；
改善膜层附着力与结构均匀性；
在高功率溅射下具有更好的热稳定性。
硅银靶材广泛应用于以下领域：
半导体工艺：电极层、接触层、阻挡层、互连结构
光学镀膜：反射膜、滤光膜、保护膜
能源器件：太阳能电池电极、柔性电池薄膜
透明导电膜（TCF）：用于显示、触控面板
功能薄膜：传感器、电容膜、电阻膜
科研实验：用于材料研究、薄膜结构设计等
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 纯度越高，薄膜缺陷越少 |
| 直径 | 25 – 300 mm | 兼容主流溅射设备 |
| 厚度 | 3 – 6 mm | 影响沉积速率与稳定性 |
| 致密度 | >97% | 提升薄膜结构均匀性 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In 焊 | 加强热传导与稳定性 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| SiAg | 电学性能与结构稳定性均衡 | 半导体、光学镀膜 |
| 纯银（Ag） | 极高导电性 | 接触层、电极层 |
| 硅（Si） | 半导体特性、膜层稳定 | 功能薄膜、光电薄膜 |
1. 该材料适合哪种溅射方式？
适用于 DC 与 RF 磁控溅射。
2. SiAg 在薄膜沉积中的主要作用是什么？
增强薄膜均匀性，提高导电性与稳定性。
3. 是否可用于透明导电膜？
可，用于触控及显示器件的导电层。
4. 是否支持定制成分比例？
可根据客户需求定制 Si/Ag 比例。
5. 是否兼容玻璃、Si、金属基底？
兼容性广泛，附着力优异。
6. SiAg 是否适合高功率溅射？
可配备背板提升散热，适用于高功率工况。
7. 背板能否提升靶材寿命？
是的，背板能显著降低热应力，延长寿命。
8. SiAg 膜层的表面粗糙度可控吗？
可通过气压、功率与基底温度调节。
9. 可否与其他靶材共溅射？
可以，用于多层结构或复合膜设计。
10. 是否提供检验报告？
出厂前均附带成分检测与尺寸检验报告。
苏州科跃材料科技有限公司出厂的所有 SiAg 靶材均：
采用真空密封包装；
使用防震泡沫保护；
外箱为出口级木箱或抗压纸箱；
配备唯一追溯编号，确保运输安全。
硅银靶材（SiAg）在光学镀膜、半导体制造、透明导电膜和先进薄膜工程中展现出优异的综合性能，是高端薄膜制备的理想选择。稳定的成膜特性、良好的导电性，以及可定制性，使其在科研与工业领域广受青睐。
如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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