砷化铟靶材（InAs）

产品简介（Introduction）

砷化铟（InAs）是一种典型的 III–V 族窄带隙半导体材料，具有 极高电子迁移率（~30,000 cm²/V·s）、小带隙（0.36 eV）、优异的红外吸收能力，并在高灵敏红外探测器、光电探测器、高速电子器件和量子材料领域占据重要地位。

砷化铟靶材（InAs Sputtering Target）可用于磁控溅射制备高品质 InAs 薄膜，适合用于短波红外（SWIR）、中红外（MWIR）、高速器件、纳米电子学以及复合异质结构研究，是半导体、光电与量子材料的重要薄膜来源。

产品详情（Detailed Description）

InAs 靶材通常采用以下工艺路线制备：

• 高纯 In 与 As 密闭直合成（Sealed Ampoule Synthesis）

• 真空烧结（Vacuum Sintering）

• 固相反应（Solid-State Reaction）

• 热压烧结（Hot Pressing, HP）

• 冷等静压（CIP）+ 高温致密化

典型产品参数：

• 纯度：99.999%（5N）半导体级

• 化学计量比：In:As = 1:1（可定制偏 In / 偏 As 版本）

• 晶体结构：闪锌矿（Zinc Blende）立方结构

• 颜色：黑灰色、深灰色

• 致密度：≥ 97%–99% TD

• 尺寸：25–300 mm 圆靶、矩形靶均可定制

• 厚度：3–6 mm

• 背板结合（可选）：Cu / Ti / Mo / In 焊接（In bonding）

材料特点：

• 极低氧含量

• 成分均匀，不易偏析

• 可稳定沉积高纯薄膜

• 适用于 UHV 与 HV 溅射系统

• 兼容 RF、脉冲 DC 等多种工艺

应用领域（Applications）

● 红外光电探测（Infrared Photodetectors） — 核心应用

InAs 是短波与中红外探测的重要材料，适用于：

• SWIR 探测器

• MWIR 成像

• 红外焦平面阵列（FPA）

• 热成像系统

• 低噪声光敏薄膜

其小带隙与高电子迁移率使其具备极高灵敏度与低噪声性能。

● 高速电子器件（High-Speed Electronics）

InAs 拥有 III–V 材料中最高之一的电子迁移率，可用于：

• 高速场效应晶体管（HEMT, MESFET）

• 高频 RF 器件

• 太赫兹波电子学（THz Electronics）

• 异质结高速电子器件

● 光通信与红外激光（Optoelectronics & IR Lasers）

InAs 可用于：

• 长波长光通信组件

• 红外 LED / 激光二极管

• 波导与红外光子结构

● 量子材料与拓扑材料（Quantum & Topological Materials）

InAs 在量子材料体系中极其重要：

• InAs / Al 量子器件（超导邻 proximity effect）

• 拓扑量子计算研究

• 半金属性二维结构

• Majorana 模拟实验

● 异质结构与界面工程（Heterostructures）

InAs 极易与以下材料形成高质量界面：

• InAs/GaSb

• InAs/InP

• InAs/AlSb

• InAs/AlN

用于高性能光电与电子复合结构。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

包装与交付（Packaging）

• 真空密封，防氧化

• 防静电包装

• 多层泡沫防震保护

• 出口级木箱加固

• 附带检测证书（ICP、XRD、密度、尺寸、外观）

确保运输与储存过程中的安全与洁净度。

结论（Conclusion）

砷化铟靶材（InAs）凭借其卓越的电子迁移率、窄带隙与红外吸收能力，是红外探测、高速电子、光通信与量子材料研究中的关键半导体薄膜材料。使用高纯度、高致密度的 InAs 靶材，可大幅提升薄膜性能与器件品质，是科研机构与半导体公司的核心材料选择。

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