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硅化钛靶材(TiSi)是一类重要的金属间化合物靶材,具备优异的导电性、热稳定性与抗高温扩散能力,广泛用于半导体薄膜、阻挡层、电极层、光电涂层及高温结构薄膜的制备。TiSi 薄膜兼具金属导电特性与硅化物的稳定性,是先进半导体工艺中常用的关键材料之一,尤其在深亚微米互连结构、栅电极及防扩散结构中表现优异。
其主要优势包括:
良好的导电性,适用于电极层与互连结构;
高温稳定,不易与 Si 或金属发生扩散反应;
膜层致密、均匀,附着力强;
卓越的抗腐蚀性能与氧化稳定性。
我司提供 高纯度 99.9%(3N)– 99.99%(4N) TiSi 溅射靶材,采用真空熔炼、热压烧结、CIP/HIP 等先进工艺,保证材料的均匀性、低孔隙率和可重复的薄膜性能。
化学成分: TiSi、Ti₅Si₃、TiSi₂(可根据需求定制相组成)
尺寸范围: Ø25–300 mm
厚度: 3–6 mm
密度: ≥98% 理论密度(TD)(TiSi₂ 系列)
背板: Cu / Ti / In 焊,可增强散热并防止开裂
制造方式: 真空熔炼 + 热压、高温烧结、HIP 加致密等
这些工艺对实际应用具有显著影响,例如:
提高薄膜附着力,减少颗粒与脱落;
增强薄膜导电性与均匀性;
保证在高功率溅射中的稳定性;
降低靶材开裂概率,显著延长使用寿命。
深亚微米工艺中的 阻挡层(Barrier Layer)
硅基芯片互连结构金属化
栅极电极薄膜
高温电阻薄膜
光学反射层与增强涂层
红外吸收层
功率器件表面保护膜
抗腐蚀薄膜
耐磨薄膜(Ti-Si 系超硬层)
高温结构薄膜
新型金属间化合物薄膜研究
多层结构 / 共溅射复合材料制备
纳米尺度电学研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 保证薄膜缺陷少、性能稳定 |
| 尺寸 | Ø25–300 mm | 适配主流溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 决定沉积速率及散热性能 |
| 密度 | ≥95–98% TD | 薄膜致密性与溅射稳定性提升 |
| 相组成 | TiSi/TiSi₂/Ti₅Si₃ | 可根据工艺选择不同导电性与稳定性 |
| 背板结合 | Cu / Ti / In 焊 | 增强热传导、防止靶材翘曲与开裂 |
| 材料 | 优势 | 应用 |
|---|---|---|
| TiSi | 高稳定性、良好导电性 | 半导体阻挡层、互连结构 |
| TiN | 导电性优异、硬度高 | 半导体金属化、耐磨层 |
| TiSi₂ | 低电阻率、兼容 CMOS 工艺 | 深亚微米互连结构 |
| Ti | 活性金属、附着性好 | 光学膜、装饰膜、电极层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| TiSi 适用于哪些溅射方式? | DC 和 RF 磁控溅射均可。 |
| TiSi 与 TiSi₂ 有什么区别? | TiSi₂ 电阻率更低,适用于高导电薄膜;TiSi 更耐高温、抗扩散。 |
| 薄膜是否适合作为阻挡层? | 是,TiSi 系材料具备优异的抗扩散能力。 |
| 是否会在空气中氧化? | 化学稳定性较高,短时间暴露不影响溅射。 |
| 可否提供带背板靶材? | 可提供 Cu/Ti/In 焊接背板。 |
| 可否用于共溅射? | 可以,与 Ti、Si、N 等材料共溅射制备复合薄膜。 |
| TiSi 薄膜的典型电阻率是多少? | 与相组成相关,一般 TiSi₂ 更低。 |
| 是否兼容 Si、玻璃、陶瓷基底? | 均兼容,膜层附着性良好。 |
所有 TiSi 靶材均经过严格质量检测,并采用:
真空密封包装
防震泡沫保护
出口级木箱
确保靶材在运输和长期储存期间保持清洁与稳定。
硅化钛(TiSi)溅射靶材以其优异的导电性、热稳定性和抗扩散能力,在半导体金属化、光学薄膜和先进功能薄膜应用中扮演关键角色。它是构建高性能电子器件与光电结构的核心材料之一。
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