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硒化铅(PbSe)是一种重要的 IV–VI 族窄带隙半导体材料,具有优异的红外光电性能、高灵敏度光吸收能力和出色的电学特性。作为高纯溅射靶材,PbSe 在中红外探测器、红外光学薄膜、光伏转换、热电材料研究等领域得到广泛应用。
高纯 PbSe 溅射靶材(99.9%–99.999%)可在磁控溅射过程中实现均匀稳定的薄膜生长,适用于科研级真空镀膜系统以及小规模生产线。
PbSe 溅射靶材通常采用真空烧结(Vacuum Sintering)、热压(HP)或热等静压(HIP)制备,以确保化合物均匀性及薄膜质量。
● 化学式: PbSe
● 纯度: 99.9%–99.999%(3N–5N)
● 密度: ≥95% 理论密度
● 尺寸: Ø25–Ø300 mm 或矩形靶(均可定制)
● 厚度: 3–6 mm(可按设备需求提供)
● 工艺: 真空烧结 / 热压烧结 / HIP
● 背板结合: 铜 / 钛 / 铟焊(提升散热与稳定性)
● 外观: 深灰至黑色的致密化合物结构
高致密 PbSe 靶材有助于提升膜层的均匀性、降低颗粒、改善红外吸收与电学稳定性。
由于其独特的低带隙特性,PbSe 在红外光学、光电探测与功能薄膜中具有重要应用价值。
PbSe 是传统中红外(3–5 μm 波段)探测材料之一,用于:
红外探测器(IR Detector)
热像仪
红外吸收薄膜
中红外透射膜
光吸收 / 光滤波功能层
精密光学元件镀膜材料
PbSe 是研究热电转换材料的重要体系之一,可用于:
热电薄膜研究
温差传感应用
半导体缓冲层
功能界面层
复合异质结材料(如 PbSe/PbS)
| 参数 | 典型值 / 范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 高纯度降低缺陷,提升红外与电学性能 |
| 密度 | ≥95% TD | 高致密性减少溅射颗粒 |
| 尺寸 | Ø25–300 mm | 适配多种溅射系统 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响靶材寿命与溅射稳定性 |
| 背板结合 | Cu / Ti / Indium | 必要时提升散热,防止靶材开裂 |
| 化学稳定性 | 良好 | 建议避光、避湿保存 |
| 材料 | 优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| PbSe | 中红外吸收性能优异 | IR 探测器、光学薄膜 |
| PbS | 更短波长响应 | 光伏、光敏薄膜 |
| PbTe | 热电性能更优 | 热电材料研究 |
| CdSe | 可调吸收峰 | 光电、显色薄膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| PbSe 靶材适合使用 RF 还是 DC? | 可使用 RF 或 DC,RF 更适用于避免表面充电。 |
| PbSe 薄膜的主要光学特性是什么? | 在中红外波段具有强吸收和高响应灵敏度。 |
| PbSe 是否适合共溅射? | 是,与 PbS、PbTe、CdSe 等可实现复合薄膜。 |
| 溅射是否需要背板? | 建议中大尺寸靶材使用背板以提升散热。 |
| PbSe 是否容易分解? | 化学稳定性良好,但需避免高湿环境。 |
| 可否用于光伏应用? | 在部分红外增强结构中有应用潜力。 |
所有 PbSe 靶材均采用:
真空密封包装
防震保护材料
出口级抗冲击专用木箱
并附带唯一批次编号、检测报告,确保质量可追溯。
硒化铅靶材(PbSe)凭借其优异的红外光学特性、可控成膜行为与可靠的电学稳定性,是红外探测、光学镀膜、功能材料研究的重要选择。高纯、高致密 PbSe 靶材可显著提升薄膜性能和制程稳定性。
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