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硅化锆靶材（ZrSi 或常见相态 ZrSi₂）是一种重要的金属间化合物薄膜材料，具有 高熔点、高导电性、优异的热稳定性和良好的抗氧化能力。其沉积薄膜在微电子、薄膜电阻层、扩散阻挡层、硬质涂层及功率器件等领域具有显著应用价值。
ZrSi₂ 具有稳定的晶体结构和良好的化学惰性，可在磁控溅射过程中形成致密、均匀且附着力强的金属间化合物薄膜，是高端电子材料与先进制造技术中的关键功能靶材之一。
● 纯度： 99.5% – 99.99%
● 相态： ZrSi、ZrSi₂（最常用）
● 尺寸范围： Ø25–300 mm（方形、矩形可定制）
● 厚度： 2–6 mm，支持定制
● 致密度： ≥95% 理论密度
● 制备工艺：
– 真空热压烧结（HP）
– 冷等静压（CIP）
– 热等静压（HIP）进一步致密化
– 精密加工、倒角与去应力处理
● 背板结合： 铜（Cu）、钛（Ti）、铟焊（Indium Bonding）
● 外观： 金属灰–暗灰色，均匀致密
● 适用设备： DC / RF 磁控溅射、离子束溅射、多腔 PVD 系统
ZrSi 靶材硬度高、化学稳定性强，适合高功率长时间溅射环境。
● 微电子器件（Microelectronics）
用于金属硅化物接触层、扩散阻挡层、互连结构。
● 薄膜电阻层（Resistive Films）
ZrSi₂ 可用于稳定的高温薄膜电阻器及传感器。
● 硬质与防护涂层（Hard & Protective Coatings）
提高机械强度、耐磨性与热稳定性。
● 功率器件薄膜（Power Devices）
作为导电层或界面层，适用于高温或高负载工作环境。
● 复合薄膜/多层结构（Multilayer Films）
可与 MoSi₂、TiSi₂、ZrB₂ 等组合形成复合膜系，提升性能。
● 高温扩散阻挡层（Diffusion Barrier）
用于半导体材料结构中防止互扩散与界面反应。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.5%–99.99% | 高纯度提升薄膜稳定性 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 兼容各种科研与量产镀膜设备 |
| 厚度 | 2–6 mm | 可根据腔体与寿命需求定制 |
| 致密度 | ≥95% | 减少颗粒与溅射不稳定性 |
| 成分比 | ZrSi / ZrSi₂ | 可按应用定制 |
| 背板 | Cu / Ti / In bonding | 改善散热与减少热应力 |
| 材料 | 特性 | 应用 |
|---|---|---|
| ZrSi₂ | 热稳定性高・导电性优 | 微电子、阻挡层、硬质涂层 |
| TiSi₂ | 电阻更低 | 半导体接触金属化 |
| MoSi₂ | 耐氧化性强 | 高温防护膜 |
| ZrB₂ | 超高硬度 | 工具涂层、航空薄膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| ZrSi 靶材是否适合 DC 溅射？ | 是，可用于 DC 与 RF。 |
| 靶材是否容易开裂？ | 陶瓷状金属间相略脆，建议使用背板。 |
| 会产生颗粒吗？ | 使用 ≥95% 致密度靶材可有效减少颗粒。 |
| 能否做小尺寸 1 英寸靶材？ | 可以提供科研样品尺寸。 |
| 是否支持成分比例调整？ | 可定制 Zr-rich 或 Si-rich 配比。 |
| 是否能用于高温器件？ | 可用于高温电极与阻挡层。 |
● 单片独立真空密封
● 防静电袋保护
● 防震泡棉 + 出口级木箱
● 提供纯度检测、尺寸检测与批次追踪编码
硅化锆靶材（ZrSi / ZrSi₂）以其优良的热稳定性、电导性和抗腐蚀性能，被广泛应用于半导体器件、薄膜电阻、硬质涂层和扩散阻挡结构，是先进薄膜工程中非常重要的金属间化合物靶材。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密、全面可定制的 ZrSi 靶材，满足科研与工业级沉积工艺需求。
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