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硅化钨（WSi 或 WSiₓ）是一种重要的过渡金属硅化物材料，兼具高熔点金属的热稳定性与半导体材料的电学可调性，在微电子、阻挡层、超薄电阻膜、集成电路互连结构以及光电薄膜工艺中有广泛应用。
WSi 薄膜具有 可调电阻率、优异的粘附性、良好的耐热性与化学稳定性，常用于电极材料、扩散阻挡层、薄膜电阻以及光学与微纳结构器件。作为溅射靶材，WSi 能稳定沉积致密、均匀、组分可控的薄膜，是半导体制造与先进薄膜工艺中的关键材料。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度、高致密度、多种配比可定制的 WSi 溅射靶材，以满足不同微电子加工与科学研究需求。
纯度：99.9%（3N）– 99.999%（5N）
常规化学计量比：
WSi₂（最常用）
WSiₓ（可根据工艺需求定制，如 x = 1.2、1.8、2.0 等）
尺寸范围：Φ25–300 mm
厚度：3–6 mm 或定制
形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、复合靶
工艺：热压烧结（HP）、真空烧结、CIP/HIP
致密度：≥95% TD
背板结合：支持 Cu / Ti 背板 + 铟焊（Indium Bonding）
可调电阻率，适用于电阻薄膜设计
高热稳定性，适合高温处理步骤
与 Si、SiO₂、Si₃N₄ 等基底兼容性好
表面平整、致密度高、稳定性出色
低颗粒与低缺陷率，满足半导体级工艺需求
硅化钨靶材（WSi）在半导体与光电领域中应用广泛，典型用途包括：
阻止金属互连材料（如 Cu、Al）向 Si 扩散。
用于精密电阻器、MEMS、电路匹配网络等。
提升稳定性与导电性，常用于 CMOS 工艺。
例如吸收层、反射层、纳米结构器件等。
可作为复合结构中的调节层或过渡层。
高耐蚀性使 WSi 成为高选择比刻蚀工艺的重要材料。
| 参数 | 范围 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 高纯度减少电阻漂移与薄膜缺陷 |
| 比例 | WSi₂ / WSiₓ | 化学计量比可根据需求定制 |
| 直径 | 25–300 mm | 适配主流溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射寿命与均匀性 |
| 致密度 | ≥95% TD | 薄膜更致密、颗粒更少 |
| 背板 | Cu / Ti / 铟焊 | 加强散热并提升结构稳定性 |
| 材料 | 特点 | 应用领域 |
|---|---|---|
| WSi | 电阻可调、热稳定性强 | 阻挡层、薄膜电阻、微电子 |
| TiSi₂ | 低电阻率、常用于接触层 | CMOS 工艺 |
| MoSi₂ | 高温结构稳定性更好 | 高温涂层、薄膜加热元件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| WSi 溅射靶材适合 RF 还是 DC？ | 可用于 RF / DC，视薄膜需求而定。 |
| WSi 是否易氧化？ | 常温稳定，但建议干燥储存。 |
| 能否定制 W:Si 比例？ | 可以精确定制化学计量比。 |
| WSi 薄膜电阻率如何调控？ | 可通过成分、工艺气氛、退火条件调控。 |
| 是否可提供半导体级纯度？ | 可提供 4N–5N 高纯材料及检测报告。 |
| 是否支持背板铟焊？ | 支持 Cu / Ti 背板与专业铟焊。 |
| 是否能用于硬掩膜？ | 可以，WSi 具有优异刻蚀耐受性。 |
真空密封包装
干燥剂保护
防震泡沫加固
国际运输级纸箱或木箱
提供 ICP、密度、尺寸检测等完整报告
硅化钨靶材（WSi）凭借其独特的电学可调性、高热稳定性与半导体兼容性，是现代集成电路、薄膜电阻、阻挡层结构与先进薄膜器件的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密、可定制的 WSi 溅射靶材，为科研与工业客户提供可靠的薄膜制备基础。
如需报价或技术支持，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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