您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
氮化硼（Boron Nitride，BN）是一种性能独特的非金属氮化物材料，兼具优异的热稳定性、良好的化学惰性、极低的介电常数以及可调控的结构形态。BN 根据晶体结构主要分为六方氮化硼（h-BN）、立方氮化硼（c-BN）和无定形 BN，其中 h-BN 因其类似石墨的层状结构和优异的绝缘性能，在薄膜领域应用最为广泛。
作为磁控溅射靶材，BN 能够沉积成分稳定、致密均匀、应力可控的氮化硼薄膜，广泛应用于半导体绝缘层、二维材料研究、耐高温涂层及功能介质薄膜。
苏州科跃材料科技有限公司采用高纯硼源与氮源原料，通过化学反应合成、冷等静压（CIP）、热压/热等静压（HP/HIP）烧结及精密加工工艺制备 BN 靶材，确保靶材具有良好的致密度、结构稳定性和优异的溅射一致性。
化学组成：BN
晶体结构：h-BN（主流），c-BN / 非晶 BN 可定制
纯度等级：≥99.5%（2N5 及以上）
靶材尺寸：Ø25–300 mm
厚度范围：3–10 mm
致密度：≥ 90–95%（视结构类型）
制造工艺：反应合成 / CIP / HP / HIP
背板选择：Cu / Ti 背板（支持铟焊或扩散焊）
形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、多段拼接靶
高温稳定性优异
电绝缘性能突出（h-BN）
化学惰性强，耐腐蚀
薄膜应力低、均匀性好
适用于二维材料与介质薄膜研究
BN 薄膜常用于：
绝缘层
介电层
扩散阻挡与界面缓冲层
尤其适用于对介电性能和热稳定性要求较高的器件结构。
h-BN 被广泛称为“二维材料的理想衬底”，用于：
石墨烯 / MoS₂ 等二维材料衬底
范德华异质结构
纳米电子与自旋电子器件
BN 薄膜具有良好的耐热与耐腐蚀性能，可用于：
高温防护层
真空与腐蚀环境保护膜
功能介质薄膜
光学隔离层
特殊功能涂层
BN 在微机电系统中可作为：
绝缘结构层
功能过渡层
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | ≥99.5% | 影响薄膜绝缘性与稳定性 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适配科研与工业溅射设备 |
| 厚度 | 3–10 mm | 决定靶材寿命与工艺稳定性 |
| 致密度 | ≥90–95% | 提升溅射一致性、降低颗粒 |
| 电学特性 | 绝缘（h-BN） | 适用于介质层应用 |
| 背板 | Cu / Ti / In bonding | 改善散热、防止靶材开裂 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| BN（h-BN） | 绝缘性强、二维材料友好 | 介质层、2D 电子学 |
| AlN | 高热导率 | 功率电子 |
| Si₃N₄ | 机械强度高 | 结构薄膜 |
| TiN | 导电、耐磨 | 阻挡层 |
| TaN | 优异阻挡性能 | 半导体工艺 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| BN 靶材适合哪种溅射方式？ | RF 溅射最常用，适合绝缘材料。 |
| BN 薄膜是否导电？ | h-BN 为优良绝缘体。 |
| 是否适合二维材料研究？ | 是，h-BN 是最理想的二维衬底之一。 |
| 是否支持大尺寸靶材？ | 支持 Ø300 mm 及定制规格。 |
| BN 靶材是否脆？ | 属于陶瓷材料，但 HIP 工艺可显著提高稳定性。 |
| 是否支持科研小批量？ | 支持，一片起订。 |
单片真空密封包装
内部多层防震缓冲
外层出口级硬箱
附 ICP 杂质分析、致密度与尺寸检测报告
确保靶材在运输与储存过程中保持洁净、稳定与可追溯。
氮化硼靶材（BN）凭借其优异的绝缘性能、热稳定性和二维材料兼容性，在半导体绝缘层、二维电子学、高温防护涂层及先进薄膜研究中具有不可替代的价值。苏州科跃材料可提供高纯度、高致密度、多规格可定制的 BN 溅射靶材，满足科研与工业应用的多样化需求。
如需获取报价或技术资料，请联系：
📧 sales@keyuematerials.com
您可以向我们发送询盘，以获取更多信息和最新价格。
苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
Copyright © 苏州科跃材料有限公司 苏ICP备2025199279号-1