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硅铟靶材(SiIn)由硅(Si)与铟(In)组成,是一种兼具半导体特性、优异附着性及可调整光电性能的复合金属靶材。Si–In 体系在薄膜导电性、折射率调节、界面稳定性、缺陷工程以及光电器件制备中具有突出优势,广泛用于半导体工艺、光电薄膜、传感器、透明电子学与功能材料研究。
硅提供结构稳定性、耐高温性能与半导体性质,铟则提供良好导电性与光学性能,使 SiIn 靶材成为兼具机械稳定性、电学可调性和光学功能的优质薄膜材料来源。
硅铟靶材采用高纯原料,通过冷等静压(CIP)成型与真空烧结或热压烧结(HP)工艺制备。工艺过程确保材料组织均匀、成分分布稳定,同时具备高致密度,使其在 RF / DC 溅射中表现出色。
典型规格如下:
纯度(Purity):99.9% – 99.99%
直径(Diameter):Ø25 – Ø300 mm(支持 1″ / 2″ / 3″ 全尺寸定制)
厚度(Thickness):3 – 6 mm
成分比例(Composition):Si/In 可按需求定制(常见如 Si20In80、Si30In70)
成型工艺:CIP + 真空烧结 / HP
致密度(Density):≥95% 理论密度(TD)
背板(Bonding):可提供 Cu / Ti 背板或铟焊结构
材料性能优势:
薄膜附着力强
良好的光学调控能力(折射率、透光率)
稳定的电学性能
小颗粒率(Low Particles)
优异的薄膜一致性与致密性
适用于大面积生产与高稳定性工艺
硅铟靶材具有广泛的光电与电子应用价值,典型领域包括:
缓冲层、过渡层
半导体调控层
电极结构中的功能膜层
折射率调节膜
反射/透射光学结构
多层光学器件
适用于:
透明电子薄膜
OLED、TFT 结构层
显示面板的光电辅助结构
气体传感器
光电传感组件
多功能响应薄膜
适用于带隙调控、界面工程、薄膜缺陷调节等研究方向。
兼容 RF / DC 磁控溅射、共溅射、反应溅射(Ar/O₂、Ar/N₂)。
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 有助于获得低缺陷薄膜 |
| 成分比例 | Si/In 可定制 | 满足不同电学/光学需求 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适用于大多数溅射设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 决定溅射速率与靶材寿命 |
| 致密度 | ≥95% TD | 提升薄膜均匀性与附着性 |
| 背板 | Cu / Ti / In 焊 | 增强散热与机械稳定性 |
| 材料 | 特性优势 | 应用方向 |
|---|---|---|
| SiIn | 半导体 + 光学/电学可调性强 | 光电薄膜、传感器、显示技术 |
| SiAl | 高温稳定性佳 | 半导体与金属粘结层 |
| In 系靶材(如 ITO) | 高透光、高导电 | 透明导电材料 |
| SiN、SiO₂ | 介电性能优秀 | 保护层、介电层 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| SiIn 适合 RF 还是 DC? | SiIn 为半导体+金属体系,RF 溅射更稳定。 |
| 是否可定制 Si/In 比例? | 可定制 10–90% 任意比例。 |
| 是否建议加背板? | 大尺寸靶材建议 Cu/Ti 背板增强散热。 |
| 是否易氧化? | 靶材整体稳定,表面可真空密封保存。 |
| 能否与其他靶材共溅射? | 可用于复合薄膜和梯度薄膜结构。 |
| 可否用于透明薄膜? | 是,SiIn 常用于调控透明导电层。 |
| 与 Si 或 In 单靶相比优势是什么? | 组合后具备更均衡的电学、光学与结构性能。 |
每片硅铟靶材出厂前均:
经过纯度、尺寸与外观检查
采用真空密封防氧化
使用多层防震泡沫保护
装入出口级硬纸箱/木箱
附带唯一批次编号与追踪标签
确保运输过程中的安全与洁净。
硅铟靶材(SiIn)凭借兼具半导体和光学电学调控优势的材料特性,在光电薄膜、半导体工艺、显示技术和科研材料研究中具有广泛应用。苏州科跃材料科技有限公司可提供不同成分比例、尺寸与背板形式的定制服务,是科研与工业应用的可靠合作伙伴。
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