钛钨靶材（TiW）

产品简介（Introduction）

钛钨靶材（TiW）由钛（Ti）与钨（W）组成，是半导体制造与微电子薄膜工艺中最重要的金属合金靶材之一。TiW 合金兼具钛的高粘附性与钨的高熔点、强度和耐腐蚀性能，可沉积出具有优异粘附力、低电阻率、高稳定性和良好结构完整性的金属薄膜。

TiW 薄膜具有出色的扩散阻挡能力（特别是对 Cu、Au 的扩散抑制效果显著），因此广泛用于晶圆制造、互连结构、金属栅极、电阻薄膜、传感器等关键领域。

产品详情（Detailed Description）

TiW 靶材由高纯钛粉和钨粉混合，经冷等静压（CIP）压制后，通过真空烧结（Vacuum Sintering）或热等静压（HIP）工艺致密化。材料内部结构均匀、膜层颗粒率低，适合高功率磁控溅射。

常规产品参数：

• 纯度（Purity）：99.9%–99.99%

• 典型成分比例（Composition）：

  • Ti10W90（最常用）

  • Ti20W80

  • Ti30W70
    （可根据工艺需求定制 Ti/W 比例）

• 直径（Diameter）：Ø25–Ø300 mm

• 厚度（Thickness）：3–6 mm

• 致密度（Density）：≥95%–99% TD

• 工艺路线：CIP + 真空烧结 / HIP

• 背板（Bonding）：Cu / Ti 背板或铟焊可选

材料性能优势：

• 极佳的粘附力，可直接作为金属/基底间的粘附层

• 优秀的抗扩散能力，尤其对 Cu / Au

• 高温稳定性和结构完整性强

• 电阻率低且均匀性好

• 成膜致密、表面平整

• 可用于高可靠性金属互连结构

应用领域（Applications）

TiW 是半导体产业关键靶材，广泛用于晶圆制造与精密电子薄膜。

1. 半导体工艺（Semiconductors）

• Cu / Au 扩散阻挡层

• 金属粘附层（Adhesion Layer）

• 晶圆互连结构

• 金属栅极电极

• vias / contacts 层结构

2. 微电子与封装（Microelectronics）

• 片上电阻薄膜

• 金属保护层

• 电极结构金属膜

3. 光电器件（Optoelectronics）

• 金属反射层

• 功能薄膜层（如阻隔膜、结构膜）

4. 科研薄膜工程（Research Thin Films）

用于研究：

• 合金结构调控

• 金属/半导体界面工程

• 导电薄膜稳定性

TiW 适用于 DC 磁控溅射、RF 磁控溅射、共溅射、反应溅射 等工艺。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

包装（Packaging）

• 真空密封包装

• 防震泡沫层保护

• 干燥剂防潮

• 出口级硬盒/木箱

• 唯一批号可全程追踪

确保靶材在运输中的稳定与洁净。

结论（Conclusion）

钛钨靶材（TiW）是半导体与微电子制造领域最重要的金属合金靶材之一，提供优异的粘附性、扩散阻挡性能与高结构可靠性。苏州科跃材料科技有限公司可提供不同配比、不同尺寸、不同背板结构的 TiW 靶材，为研发与量产客户提供高质量金属薄膜材料解决方案。

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