产品简介（Introduction）
磷化镓晶圆（GaP）是一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有约 2.26 eV 的宽带隙特性和良好的热稳定性，在光电子器件、LED 发光结构及外延衬底领域具有广泛应用。其晶体结构稳定、机械强度较高，相较于部分Ⅲ-Ⅴ材料更易加工与处理。
GaP 兼具优良的光学透明性与电学可调性，适用于外延生长、高精度薄膜沉积及微纳加工工艺，是科研与产业化制造中常用的功能性半导体衬底材料。
产品详情（Detailed Description）
材料特性
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材料类型：Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体
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晶体结构：闪锌矿结构
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带隙：约 2.26 eV（室温，间接带隙）
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颜色：橙红至深绿色透明晶体
常规规格
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直径：2″ / 3″ / 4″（可定制）
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厚度：350 – 600 µm
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取向：<100> / <111>
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掺杂类型：N 型（Si / S）或 P 型（Zn）
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电阻率：按掺杂浓度定制
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表面状态：单面抛光（SSP）/ 双面抛光（DSP）
制造工艺
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晶体生长：LEC 或 VGF 方法
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表面处理：化学机械抛光（CMP）
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表面粗糙度：Ra < 1 nm（DSP 级）
性能优势
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高晶体完整性，有利于高质量外延沉积
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热稳定性良好，适配高温 MOCVD / MBE 工艺
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低缺陷密度，提升器件良率
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优良的光学与电学可调性
应用领域（Applications）
1. LED 与发光器件
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绿光 LED
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橙光 LED
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指示与显示光源
GaP 早期广泛用于可见光 LED 结构，目前仍在特定波段器件中发挥作用。
2. 外延衬底
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InGaP 外延
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GaAsP 外延
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多结太阳能电池外延结构
其晶格匹配优势使其成为多层结构生长的理想衬底。
3. 光电子器件
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光电探测器
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波导结构
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光学集成芯片
4. 半导体研究与功能薄膜沉积
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电极层沉积基底
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光学功能层沉积
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高精度微纳加工研究
技术参数（Technical Parameters）
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 直径 | 2″ – 4″ | 适配主流外延设备 |
| 厚度 | 350 – 600 µm | 提供机械稳定性 |
| 表面粗糙度 | Ra < 1 nm | 提升外延质量 |
| 掺杂类型 | N 型 / P 型 | 控制导电性能 |
| 位错密度 | <10⁴ cm⁻² | 降低器件缺陷率 |
相关材料对比（Comparison with Related Materials）
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 磷化镓（GaP） | 宽带隙、热稳定性好 | LED、光电器件 |
| 砷化镓（GaAs） | 直接带隙、高迁移率 | 激光器、高速器件 |
| 磷化铟（InP） | 光通信优势明显 | 光纤通信器件 |
常见问题（FAQ）
1. 磷化镓是否为直接带隙材料？
GaP 为间接带隙材料，但通过合金调控可优化发光性能。
2. 是否适合 MOCVD 外延生长？
是的，DSP 级表面适合高质量外延沉积。
3. 可以定制掺杂类型与浓度吗？
可根据器件需求进行定制。
4. 是否支持双面抛光？
支持 SSP 与 DSP 两种表面规格。
5. 适用于高温工艺吗？
GaP 具有良好的热稳定性，适配高温工艺环境。
6. 是否提供小尺寸切割样品？
支持科研级定制切片。
7. 表面是否提供清洗处理？
可提供超声清洗与洁净包装。
8. 可否提供电学与表面检测报告？
可提供电阻率、厚度及表面质量检测数据。
9. 是否兼容硅基外延结构？
可用于特定异质外延研究。
10. 运输如何保证安全？
采用洁净晶圆盒及真空封装，防震保护。
包装与交付（Packaging）
所有磷化镓晶圆在出厂前均经过厚度、电阻率及外观检测，并附带唯一追溯编号。采用洁净晶圆盒、真空密封及出口级防震包装，确保运输过程中的完整性与洁净度。
结论（Conclusion）
磷化镓晶圆凭借其稳定的晶体结构、优良的热学与光学性能，在 LED、光电子与外延衬底领域发挥重要作用。其高质量抛光表面与低缺陷密度，为高端器件制造与科研实验提供可靠基础材料。
如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：
sales@keyuematerials.com
