镍钒靶材(NiV)

镍钒靶材(NiV)

产品简介(Introduction)

镍钒靶材(NiV)由镍(Ni)与钒(V)组成,是一种兼具优异电学性能、良好延展性、稳定耐腐蚀性与热稳定性的金属功能合金靶材。Ni 的化学稳定性与延展性结合 V 的强化能力,使得 NiV 薄膜具有更高的硬度、优异的附着性以及更均匀的微结构。

NiV 是集成电路、磁记录材料、阻挡层、电极膜以及光学结构膜中的重要材料之一,尤其适用于要求纯净度高、颗粒率低、结构稳定的高端薄膜制程。


产品详情(Detailed Description)

镍钒靶材使用高纯镍粉与钒粉混合后,经冷等静压(CIP)成型,再通过真空烧结(Vacuum Sintering)或热等静压(HIP)得到高致密度成品。NiV 材料具有低颗粒、稳定溅射速率、均匀成分分布等特点,适合高功率 DC/RF 磁控溅射。

典型产品参数:

  • 纯度(Purity):99.9%–99.99%

  • 典型成分比例(Composition)

    • Ni93V7(最常用于集成电路)

    • Ni90V10

    • Ni80V20
      (可根据客户需求定制)

  • 直径(Diameter):Ø25–Ø300 mm

  • 厚度(Thickness):3–6 mm

  • 致密度(Density):≥95–98% TD

  • 制造工艺(Process):CIP + 真空烧结 / HIP

  • 背板(Bonding):Cu / Ti 背板或铟焊工艺可选

材料特点:

  • 电学性能稳定

  • 高硬度、高强度

  • 成膜颗粒率低、表面平整

  • 膜层附着性强

  • 耐腐蚀性优良

  • 适用于高温与反应性溅射


应用领域(Applications)

镍钒靶材广泛用于半导体、磁学材料、光学膜以及耐腐蚀结构膜领域,是高端电子器件制造中的关键材料。

1. 半导体(Semiconductors)

  • 阻挡层 / 粘附层

  • 金属电极结构膜

  • 铝互连层中的粘附层

  • 集成电路金属化工艺

2. 磁性材料(Magnetic Films)

  • 磁记录薄膜

  • 磁头材料

  • 自旋电子结构膜(Spintronics)

3. 光学镀膜(Optical Coatings)

  • 反射层

  • 光学补偿层

  • 多层结构保护膜

4. 防护与功能薄膜(Protective Coatings)

  • 耐腐蚀结构膜

  • 机械强化膜

  • 耐磨薄膜

5. 科研与材料工程

  • 金属间化合物研究

  • Ni-V 氧化物与氮化物薄膜

  • 多层结构调控层


技术参数(Technical Parameters)

参数 数值 / 范围 说明
纯度 99.9–99.99% 薄膜电学性能与缺陷控制关键
成分比例 Ni/V 可定制 调控硬度、电阻率与结构特性
致密度 ≥95–98% 成膜颗粒率低,均匀性高
厚度 3–6 mm 影响溅射速率与寿命
直径 Ø25–300 mm 支持实验与量产设备
背板 Ti / Cu / In 提高散热能力与稳定性

相关材料对比(Comparison)

材料 特点 应用方向
NiV 较高硬度 + 高稳定性 IC、磁性膜、阻挡层
Ni(镍靶材) 稳定导电性、延展性好 电极、传导膜
V(钒靶材) 强化与高温稳定性 结构膜、硬膜
NiCr 抗腐蚀性强 电阻膜

常见问题(FAQ)

问题 答案
NiV 是否适合用于 IC 工艺? 是,Ni93V7 是集成电路中常用的粘附层材料。
是否支持定制配比? 可定制 Ni/V 任意比例。
NiV 膜层颗粒率如何? 采用致密烧结工艺,颗粒率极低。
是否可用于反应性溅射? 是,可制备 NiVO、NiVN 等功能膜。
大尺寸靶材是否需要背板? 建议使用 Cu/Ti 背板加强散热。

包装(Packaging)

  • 真空密封防氧化

  • 多层防震与防潮保护

  • 出口级硬箱或木箱

  • 每片靶材附唯一批次号便于追踪


结论(Conclusion)

镍钒靶材(NiV)凭借其优异的结构稳定性、电学性能和耐腐蚀能力,是半导体、磁性薄膜和光学结构膜的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供不同配比、各种规格与背板结合方式,满足科研与工业客户的高性能薄膜沉积需求。

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📩 sales@keyuematerials.com