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镉(Cadmium, Cd)是一种银白色软金属,具有优异的延展性、良好的电学与光学性能,并能够形成高质量的II-VI族化合物薄膜。镉靶材广泛应用于光电薄膜、光伏器件(如CdTe太阳能电池)、红外探测器、透明导电膜及科研实验室功能材料制备,是高性能薄膜沉积领域的重要基础材料。
苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度镉靶材(纯度99.99%–99.999%,4N–5N),采用真空熔炼、热压、冷等静压(CIP)等工艺制备,确保材料均匀致密,无夹杂、无氧化斑点。
可提供 圆形、方形、环形及定制形状,兼容 DC / RF磁控溅射系统。
为高功率或长时间稳定溅射应用,提供 铜(Cu)及铟焊(In Bonded)背板结合,提升散热与机械强度。
高纯度(4N–5N)降低薄膜缺陷,提高光电性能;
低熔点金属,溅射速率稳定可控;
熔点低但加工程度高,可通过背板增强结构稳定性;
适合制备CdTe、CdS、CdO等化合物薄膜;
表面光洁度高,颗粒脱落率低;
支持各种尺寸与溅射设备兼容定制。
CdTe太阳能电池吸收层
CdS缓冲层
CdSe光吸收薄膜
II-VI族半导体薄膜
红外探测器材料(CdHgTe体系)
高透光性CdO薄膜
可调节电导率的光学膜层
纳米结构Cd基复合薄膜
光吸收/反射/调制功能层
高纯Cd用于化合物溅射研究
多层复合结构薄膜设计
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.99% – 99.999% | 光电性能敏感材料需高纯度 |
| 直径 | Ø25–Ø300 mm(可定制) | 兼容各种溅射腔体 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响沉积速率与稳定性 |
| 密度 | ≥ 8.65 g/cm³ | 致密性高,薄膜均匀性更好 |
| 制备工艺 | 真空熔炼 / CIP / HP | 微结构均匀,稳定性高 |
| 背板结合 | Cu / In Bonded | 提升散热与防止软金属变形 |
| 材料 | 主要特性 | 应用场景 |
|---|---|---|
| 镉(Cd) | 适合II-VI族化合物薄膜 | CdTe光伏、CdS薄膜 |
| 硒(Se) | 与Cd组成CdSe光吸收层 | 光电子与光伏 |
| 碲(Te) | 与Cd组成CdTe吸收层 | 太阳能电池 |
| 锌(Zn) | 可与Cd形成合金及氧化物 | 光学与电子薄膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| 镉靶材支持哪些溅射方式? | 适用于DC与RF磁控溅射。 |
| 是否可用于CdTe薄膜制备? | 是的,Cd靶材常用于CdTe器件。 |
| 镉是否易氧化? | 镉较为活泼,应真空密封保存。 |
| 能否提供In Bonded背板? | 是的,适用于软金属靶材。 |
| 是否易变形? | 软金属特性,需要背板支撑。 |
| 是否可制作矩形靶? | 可根据图纸定制。 |
| 是否可共溅射? | 可与Te、Zn、Se等共溅射用于光电材料研究。 |
| 包装方式是什么? | 真空密封、防震防潮、多层保护包装。 |
所有镉靶材均采用:
真空独立密封
防静电干燥包装
多层缓冲防震保护
出口级硬纸箱或木箱包装
镉靶材是光电、光伏及半导体薄膜制备中的关键材料,尤其在CdTe及CdS体系中具有核心应用价值。苏州科跃材料科技有限公司提供高纯、高致密度的Cd靶材,结合专业背板焊接与严格质量控制,为科研与工业薄膜制备提供稳定可靠的材料解决方案。
如需获取更多技术细节或报价,请联系:
📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属(3N~6N)、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案,服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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