锶铌靶材（SrNb）

产品简介（Introduction）

锶铌靶材（SrNb）由锶（Sr）与铌（Nb）构成，是一种兼具稳定结构特性、优异电学调控能力和良好成膜性能的功能性金属间化合物靶材。由于 Sr 具有强离子性、可形成高电阻或介电性结构，而 Nb 提供金属导电性与稳定晶体结构，因此 SrNb 系薄膜兼具可调电阻率、薄膜稳定性及优良附着力。

SrNb 薄膜在氧化物电子学、新型阻变器件、铁电材料研究、多层介电结构、过渡金属氧化物调控等领域中逐渐成为重要材料，尤其受到薄膜研究机构与实验室的关注。

产品详情（Detailed Description）

材料特性

• 电学性能可调
  Sr 的引入可提升薄膜电阻率，而 Nb 提供导电途径，使整个体系表现出可控的金属–绝缘状态。

• 薄膜稳定性好、结构均匀
  热等静压（HIP）/ 冷等静压（CIP）工艺提高致密度，降低颗粒产生。

• 与氧类薄膜兼容性强
  可与 SrTiO₃、Nb₂O₅、SrRuO₃ 等材料组合，制备多层结构。

• 低颗粒溅射表现
  适用于高纯薄膜沉积要求的实验环境。

• 适配 RF / DC / 磁控溅射设备

典型配比（可定制）

• Sr50Nb50

• Sr40Nb60

• Sr60Nb40

成分可根据电学性能、结构需求或科研方向定制。

可供规格（Specifications）

• 直径：25–200 mm

• 厚度：2–6 mm

• 纯度：≥ 99.9% – 99.99%

• 形状：圆形靶 / 方形靶

• 背板可选：Cu / Ti / Mo / In bonding

• 表面粗糙度：Ra < 0.8 µm（支持精抛）

应用领域（Applications）

1. 氧化物电子学（Oxide Electronics）

SrNb 用于调节氧化物多层薄膜的导电性、介电行为与界面特性，常见应用包括：

• 氧化物导电层

• 介电调控层

• 多层异质结构调控膜

2. 阻变存储器（ReRAM / Switching Devices）

Sr 与 Nb 的组合可形成可控缺陷结构，用于：

• 阻变薄膜

• 开关特性调控薄膜

• 高电阻/低电阻态控制研究

3. 过渡金属氧化物膜制备

与 SrTiO₃、Nb₂O₅、SrVO₃ 等材料相容，可用于：

• 外延薄膜

• 功能性氧化物叠层

• 薄膜晶体工程实验

4. 光电与介电材料研究

适用于科研用途的：

• 介电优化结构

• 光学调节层

• 金属–氧化物界面研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. SrNb 薄膜是否容易氧化？
   在受控气氛下沉积稳定，适合氧分压可控的薄膜工艺。

2. 适用于 RF 还是 DC？
   两者均可，根据靶材电阻率可选择 RF 磁控溅射效果更佳。

3. 是否支持成分定制？
   可根据研究方向调整 Sr/Nb 比例。

4. 能做大面积靶材吗？
   可提供到 8″ 或更高尺寸。

5. 能否用于外延薄膜沉积？
   根据设备与工艺要求，适合外延生长研究。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封（防潮、防氧化）

• 防静电袋保护

• 防震泡棉固定

• 出口级木箱/纸箱

• 每件均附唯一批次编号与检测报告（可选）

结论（Conclusion）

锶铌靶材（SrNb）因其结构可调性、电学性能灵活性与对氧化物体系的高兼容性，成为氧化物电子学与新型阻变器件的重要材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制配比的 SrNb 溅射靶材，满足实验室研发与产业化需求。