锰锡靶材（MnSn）

产品简介（Introduction）

锰锡靶材（MnSn）是一种具有独特电学与磁学特性的功能性合金靶材，广泛用于自旋电子学（Spintronics）、磁性薄膜、阻变存储器（RRAM）、热电薄膜以及新型二维材料研究等领域。
Mn–Sn 系材料因其可调控的电阻率、良好的磁序结构、稳定的化学性质以及对基底高度兼容的成膜性能，成为科研与先进制造中备受关注的薄膜材料。

产品详情（Detailed Description）

锰锡靶材由高纯锰（Mn）与高纯锡（Sn）制备，通过真空熔炼、高温固相反应、粉末冶金、CIP、HIP 等先进工艺实现高致密度与优良的薄膜沉积特性。
MnSn 在成膜中可形成多种结构（如金属相、半金属相或磁性相），适用于不同的功能膜层需求。

可提供技术规格：

• 纯度：99.9%–99.99%

• 成分比：Mn₅₀Sn₅₀、Mn₆₀Sn₄₀、Mn₇₀Sn₃₀（可定制）

• 直径：25 mm – 300 mm（支持圆形、矩形、阶梯靶）

• 厚度：3–6 mm（可按设备定制）

• 致密度：≥ 97%

• 背板键合：Cu 背板、Ti 背板、In 焊接（可选）

材料性能与优势：

• 可调控电学性能，适用于多功能薄膜

• 化学稳定性较高，沉积过程中不易氧化

• 适合制备磁性薄膜（如反铁磁、弱铁磁结构）

• 溅射均匀性好，颗粒少，膜层致密

• 高致密度可有效避免炸点、开裂等问题

• 易与玻璃、Si、氧化物等基底良好兼容

应用领域（Applications）

锰锡靶材是一种在磁性、自旋电子与新型功能薄膜中应用非常广泛的材料，主要用于：

• 自旋电子学薄膜（Spintronics Thin Films）

• 反铁磁材料与磁性逻辑器件研究

• 电阻式存储器（RRAM）功能层

• 热电薄膜材料（Thermoelectric Films）

• 二维材料与拓扑材料研究（如 MnSn 類拓扑半金属）

• 磁传感器、霍尔器件

• 科研实验与材料工程开发

MnSn 在磁性与拓扑材料研究中具有特殊地位，是近年来发展快速的研究方向。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. MnSn 靶材适用于哪些溅射方式？
适用于 DC、RF 及磁控溅射设备。

2. MnSn 是否易氧化？
高纯生产工艺可降低氧化风险，建议使用真空密封包装。

3. 可以定制不同 Mn/Sn 比例吗？
可以，根据磁性或电性需求提供定制化配比。

4. MnSn 薄膜的磁性表现如何？
可表现为反铁磁或弱铁磁结构，适合自旋电子研究。

5. MnSn 适用于 RRAM 吗？
是的，MnSn 可用于阻变层或界面调控层。

6. 是否支持大尺寸靶材？
支持 4″、6″、8″、12″ 等大尺寸靶材。

7. 是否提供检测报告？
所有靶材均附带纯度、密度、尺寸、显微结构等检测。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封

• 防震泡棉保护

• 出口级木箱或抗压纸箱

• 唯一序列号可追溯体系

确保靶材运输过程中的稳定性与洁净度。

结论（Conclusion）

锰锡靶材（MnSn）凭借良好的磁性、电学及热电特性，是自旋电子学、阻变存储器、热电薄膜及新型功能材料开发的重要靶材。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密度、多规格 MnSn 靶材，适合科研与产业化使用。

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