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锡铟靶材(SnIn)由锡(Sn)与铟(In)组成,是一种兼具优异导电性、光学性能、高成膜性与良好化学稳定性的高端合金靶材。Sn 提供低熔点与成膜易性,In 提供稳定电导率及良好薄膜附着力,两者形成的 SnIn 薄膜广泛用于透明导电膜(TCF)、光电器件、传感器和新型显示技术。
SnIn 是 ITO(铟锡氧化物)的重要补充材料,同时在低温沉积和柔性电子领域优势明显。
SnIn 靶材通常采用高纯锡与高纯铟原料,经精确配比、真空熔炼、冷等静压(CIP)成型与真空烧结(Vacuum Sintering)或热等静压(HIP)工艺制备。靶材组织均匀致密,颗粒率低,成膜光滑,适用于 DC/RF 磁控溅射。
纯度(Purity):99.9%–99.99%
常见比例(Composition):
Sn90In10
Sn80In20
Sn70In30
Sn60In40
可按需求定制任意 Sn/In 比例
尺寸(Size):Ø25–300 mm
厚度(Thickness):3–6 mm
致密度(Density):≥95–99% 理论密度
工艺(Process):CIP + Vacuum Sintering / HIP
背板选项(Bonding):铟焊(In Bonding)、Cu/Ti 背板可选
光学透过率高
电导率优异且稳定
低温沉积特性优秀
与玻璃、聚酯薄膜(PET/PI)、ITO 等基底附着力强
高均匀性薄膜,颗粒少、表面平整
可进行反应性溅射(Sn-In-O / Sn-In-N)
触摸屏
柔性显示器
OLED / MicroLED 电极
透明加热膜
柔性光伏薄膜
SnIn 是 ITO 的替代方案之一,用于柔性与低温工艺。
抗反射结构膜
透光膜
多层光学薄膜系统
红外 / 可见光调控膜
电极薄膜
阻挡层
金属化过渡层
敏感元件薄膜
Sn-In-O(SIO)透明导电膜
含 In 的可调控折射率膜层
柔性电子材料
低温沉积结构设计
| 参数 | 范围 / 数值 | 使用说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9–99.99% | 提高薄膜透光、电导稳定性 |
| 比例 | Sn/In 可定制 | 影响导电性与光学性能 |
| 致密度 | ≥95–99% TD | 膜层颗粒更少、均匀性更高 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响溅射速率与寿命 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适用于不同沉积设备 |
| 背板 | Cu / Ti / In | 增强散热、防止靶材开裂 |
| 材料 | 特性 | 应用方向 |
|---|---|---|
| SnIn | 高透光 + 低温成膜 | 触控、电极、柔性显示 |
| ITO | 标准透明导电材料 | LCD / OLED 电极 |
| SnO₂ | 高透光氧化物 | 光学薄膜 |
| In | 电导强、界面结合好 | 透明电极材料 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| SnIn 是否适合柔性电子? | 是,低温成膜性能十分优秀。 |
| 比例能否定制? | 支持任意 Sn/In 比例定制。 |
| 是否适合反应性溅射? | 可用于制备 Sn-In-O 导电薄膜。 |
| 大尺寸靶材是否需要背板? | 建议使用 In/Cu/Ti 背板提高散热能力。 |
| 是否兼容 RF 磁控溅射? | 完全兼容,沉积稳定。 |
真空密封
防湿防氧化
防震泡棉保护
出口专用抗压包装(硬箱 / 木箱)
产品附唯一批号追踪
锡铟靶材(SnIn)具有优秀光学、电学与工艺优势,是透明导电膜、光学薄膜与柔性电子的重要薄膜材料。
苏州科跃材料科技有限公司可定制各种比例、尺寸与背板方案,满足从研发到量产的各种需求。
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