锗锑碲碳靶材（GeSbTeC）

产品简介（Introduction）

锗锑碲碳靶材（GeSbTeC）是一类基于相变材料（Phase Change Materials, PCM）的多元合金靶材，由 Ge、Sb、Te 和 C 组成。通过在 GeSbTe（GST）体系中引入碳元素，可显著提升薄膜的热稳定性、耐循环性、抗晶化能力以及数据保持性，因此广泛应用于新一代非易失性存储器（PCM/PRAM）、高速光电开关、光学存储介质和先进相变功能薄膜的制备。

与传统 GST-225（Ge₂Sb₂Te₅）或 GST-124 相比，加入碳可有效抑制晶粒长大，提高耐热性，使材料更适用于高写入耐久度与高速切换场景。

产品详情（Detailed Description）

GeSbTeC 靶材采用高纯 Ge、Sb、Te、C 原料，通过真空熔炼、粉末冶金、CIP/HIP 热等静压及精密机加工制备而成：

材料特点：

• 高纯度（≥99.99%）降低薄膜缺陷

• 高致密度（≥97%）确保溅射稳定性

• 碳均匀分布，强化薄膜的抗晶化能力

• 高温稳定性优异，适用于 300°C 以上工艺

• 薄膜表面平滑、均匀性好

• 支持 GST 基础成分与碳含量定制

可提供成分示例：

• Ge₂Sb₂Te₅ + C

• Ge₁Sb₂Te₄ + C

• GeSbTe（任意比例）+ C

• C 含量范围：0.5%–10%（可定制）

靶材规格：

• 直径：25–300 mm

• 厚度：3–6 mm

• 形状：圆形靶、矩形靶

• 背板结合：Cu、Ti 或 In 焊

• 纯度等级：3N–5N

应用领域（Applications）

1. 相变存储器（PCM / PRAM）

• 高速写入、低功耗

• 高耐久性（提升循环次数）

• 数据保持时间更长

• 稳定性优于传统 GST

应用包括：

• 存储级内存（Storage-Class Memory）

• 嵌入式 PCM（ePCM）

• 高速缓存型存储器

2. 光学数据存储

• DVD、Blu-Ray 相变记录层

• 可重写光存储盘

• 高反差反射膜结构

3. 光电与高速开关器件

• 电学/光学相变高速响应薄膜

• 高速调制器、光开关

• 神经形态计算单元（Neuromorphic PCM）

4. 薄膜工程与科学研究

• GST 材料热稳定性研究

• 碳掺杂对晶化动力学影响研究

• 新型 PCM 配方探索

• 光学相变薄膜、可调光学结构

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. 为什么在 GST 中加入碳？
碳可提高材料的热稳定性和抗晶化能力，增强 PCM 写入寿命。

2. GeSbTeC 的碳含量可定制吗？
可以，0.5%–10% 均可根据膜特性定制。

3. 是否适用于 DC/RF 溅射？
两者均适合，并支持磁控溅射。

4. 是否可以提供大尺寸靶材？
可提供 4″、6″、8″、12″ 靶材与矩形靶。

5. 出厂是否附带检测报告？
可提供 ICP 成分分析、密度、外观检测等报告。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 防震泡棉保护

• 出口级纸箱或木箱

• 单件编号与批次可追踪

结论（Conclusion）

锗锑碲碳靶材（GeSbTeC）是下一代高速相变存储器、高性能光学薄膜及先进光电器件的重要材料。碳的引入显著改善材料的稳定性、循环耐久度及热性能，使其成为 GST 系列中较为优异的靶材选择。

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