锗铟靶材（GeIn）

产品简介（Introduction）

锗铟靶材（GeIn）由半导体材料锗（Ge）与金属铟（In）组成，是一种兼具可调电子结构、优异薄膜均匀性与良好导电/光电性能的功能型合金靶材。锗具备高载流子迁移率和出色的红外响应能力，而铟具有良好延展性和稳定导电性，两者复合后形成的 GeIn 薄膜在光电器件、红外感测、半导体界面工程与功能膜研究中表现突出。

这类靶材广泛应用于磁控溅射（DC/RF）、反应性溅射、离子束溅射（IBS）及 PLD 等不同薄膜沉积工艺。

产品详情（Detailed Description）

GeIn 靶材一般采用真空熔炼、CIP 成型、热压烧结或热等静压（HIP）工艺制备，以确保成分均匀、致密度高和低氧含量。靶材表面精密加工后可获得稳定的溅射速率和低颗粒膜层品质。

● 典型规格参数

• 纯度（Purity）： 99.9% – 99.999%

• 成分比例（Composition，可定制）：

  • Ge-In（wt% 或 at% 任意比例可定制）

  • 常见比例如：Ge50In50、Ge70In30、Ge30In70

• 尺寸（Size）： Ø25–Ø300 mm 圆靶 / 矩形靶

• 厚度（Thickness）： 2–6 mm（可做薄靶）

• 工艺（Process）： Vacuum Melting / CIP / HP / HIP

• 背板（Bonding）： 铜背板、钛背板或铟焊接（In-bonding）

● 材料特性

• 电子结构可调，适用于光电、半导体薄膜

• 与 Si、玻璃、InP、GaAs 等基底兼容

• 优良的薄膜均匀性与低应力特性

• 可用于制备 GeIn-O、GeIn-N 等复合功能膜

• 放电稳定、颗粒率低

• 对温度敏感工艺友好（铟的低熔点特性可改善界面结合）

应用领域（Applications）

1. 光电薄膜（Optoelectronic Thin Films）

GeIn 是多种光电结构中的理想材料，包括：

• 红外探测器吸收层

• 光波导耦合层

• 透明功能性金属层

• 近红外通信薄膜（NIR）

2. 半导体界面工程（Semiconductor Interface Engineering）

锗与铟的复合薄膜可应用于：

• 高介电常数金属栅结构（HKMG）

• 金属接触层

• 阻挡层 / 扩散层

• 低温兼容性电子材料

3. 传感器（Sensors）

由于锗的红外敏感性与铟的可调导电性，GeIn 是以下领域常用材料：

• 红外感测器件

• 压力/应变传感薄膜

• CMOS 光感测集成结构

4. 多层复合功能膜（Multilayer Functional Films）

适用于：

• 光学堆栈结构

• 电极-阻挡双层结构

• 半透明导电膜（TCF）

• 复合界面调控膜

技术参数（Technical Parameters）

材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

1. GeIn 靶材适合 RF 与 DC 吗？
适合，用于 DC、RF、HiPIMS 或 PLD。

2. 可否用于透明导电薄膜？
在特定成分下可实现半透明导电效果。

3. 能否生产 300 mm 靶材？
可以，支持大尺寸晶圆级靶材。

4. GeIn 是否耐高温？
铟含量较高时适合中低温工艺，如需高温稳定性可调整比例。

5. 有没有矩形靶？
可以按图纸定制。

包装（Packaging）

• 高真空密封包装

• 防震泡棉保护

• 干燥剂防潮

• 出口级硬箱 / 木箱

• 标配 COA、批号可追溯标签

结论（Conclusion）

锗铟靶材（GeIn）凭借其独特的光电性能、可调电子结构以及与多种基底的兼容性，在光电器件、半导体结构膜和新材料研究中具有重要价值。苏州科跃材料科技有限公司长期提供高纯度、高致密度且成分可定制的 GeIn 靶材，是科研与工业客户的可靠选择。

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