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锗蒸发材料采用高纯金属锗原料,经真空熔炼、精炼与洁净成形工艺制备,严格控制杂质与表面氧化,确保在高真空环境下具备一致、可重复的蒸发性能。
纯度范围:99.99% – 99.999%(4N–5N)
材料形态:颗粒、块状、片状、定制尺寸
制造工艺:真空熔炼 + 精密成形 / 分级
表面状态:低氧化、低吸附,适合直接蒸发
高纯锗蒸发材料可有效:
保证蒸发速率平稳,减少颗粒与污染;
提升薄膜成分与厚度均匀性;
改善半导体薄膜的电学与光学一致性;
提高科研与量产工艺的可重复性与良率。
红外光学镀膜:红外窗口、透过与功能薄膜
半导体与微电子:Ge 薄膜、异质结构与界面层
光电与探测器件:红外探测相关薄膜
功能与合金薄膜:Ge 基或 Ge 掺杂薄膜
科研实验:半导体物性、能带与界面工程研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.99% – 99.999% | 决定半导体性能 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 定制 | 适配不同蒸发源 |
| 单颗粒尺寸 | 可定制 | 影响蒸发速率稳定性 |
| 熔点 | ~938 °C | 适合中温蒸发 |
| 适用工艺 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流 PVD 系统 |
| 包装方式 | 真空密封 | 防止氧化与吸附污染 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 锗(Ge)蒸发材料 | 半导体特性、红外透过性 | 红外与半导体薄膜 |
| 硅(Si) | 工艺成熟 | 通用半导体薄膜 |
| 硒(Se) | 光电响应 | 光电与功能薄膜 |
| 锡(Sn) | 易合金化 | 功能与相变薄膜 |
Q1:锗蒸发材料适合哪种蒸发方式?
A:适用于热蒸发和电子束蒸发,工艺窗口成熟稳定。
Q2:锗薄膜常用于哪些领域?
A:红外光学、半导体器件及功能薄膜研究。
Q3:锗蒸发对真空条件要求高吗?
A:建议在高真空条件下使用,以获得高纯净薄膜。
Q4:锗薄膜容易氧化吗?
A:表面可形成薄氧化层,但在真空沉积中可有效控制。
Q5:是否可以与其他材料共蒸发?
A:可以,常与 Si、Sn、Se 等共蒸发制备功能薄膜。
Q6:颗粒尺寸会影响蒸发效果吗?
A:会,均匀尺寸有助于稳定蒸发速率和膜厚控制。
Q7:锗薄膜的光学性能如何?
A:在红外波段具有良好透过与稳定表现。
Q8:是否适合科研级应用?
A:非常适合,是半导体与红外材料研究中的常用材料。
Q9:锗蒸发材料如何储存?
A:建议真空密封保存,避免表面氧化与污染。
Q10:是否支持定制规格与高纯度?
A:支持,可提供定制尺寸及 5N 等高纯等级。
所有锗蒸发材料在出厂前均经过严格质量检测,并建立完整批次追溯体系。产品采用真空密封、防震缓冲与出口级包装,确保在运输与储存过程中保持高纯度与稳定性能。
锗蒸发材料(Ge)凭借其稳定的半导体特性、优异的红外光学性能以及成熟可靠的蒸发工艺,在红外光学、半导体与功能薄膜领域中占据重要地位。对于追求高一致性、高性能与可重复性的薄膜沉积应用,锗蒸发材料是一种值得信赖的经典选择。
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