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锑化铝（AlSb）是一种重要的 III–V 族化合物半导体材料，具有较高的电子迁移率、良好的热稳定性以及适中的禁带宽度。AlSb 在红外探测、高速电子器件、异质结结构以及新型半导体材料研究中具有重要应用价值，尤其常作为缓冲层或势垒层材料使用。
作为磁控溅射靶材，AlSb 能够稳定沉积成分均匀、致密度高、界面质量优异的 Al–Sb 薄膜，广泛用于科研级薄膜生长、红外器件结构及先进半导体材料开发。
苏州科跃材料科技有限公司采用高纯铝与高纯锑原料，通过真空熔炼/固相反应、冷等静压（CIP）、热压或热等静压（HP/HIP）烧结及精密加工工艺制备 AlSb 靶材，确保靶材具有高纯度、良好的致密度和稳定的溅射性能。
化学组成：AlSb
纯度等级：99.9% – 99.99%（3N–4N）
靶材尺寸：Ø25–300 mm
厚度范围：3–10 mm
致密度：≥ 95% 理论密度
制造工艺：真空反应 / CIP / HP / HIP
背板选择：Cu / Ti 背板（支持铟焊或扩散焊）
形状：圆靶、矩形靶、阶梯靶、多段拼接靶
化学计量比稳定，薄膜成分可控
薄膜界面质量高，适合异质结构
溅射过程稳定，颗粒率低
适用于高精度半导体薄膜沉积
良好的热稳定性，兼容多种工艺窗口
AlSb 常用于：
红外探测器结构层
光电器件势垒层
多层异质结薄膜
作为缓冲层（Buffer Layer）
势垒层（Barrier Layer）
与 InAs、GaSb、InSb 等材料配合使用
高频晶体管结构
高迁移率电子器件（HEMT）研究
新型半导体薄膜
材料物性与能带工程研究
溅射、共溅射
多元化合物薄膜探索
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9–99.99% | 决定薄膜电学与光学性能 |
| 直径 | Ø25–300 mm | 适配科研与工业溅射设备 |
| 厚度 | 3–10 mm | 影响靶材寿命与沉积稳定性 |
| 致密度 | ≥ 95% | 降低颗粒、提高膜层均匀性 |
| 背板 | Cu / Ti / In bonding | 改善散热、防止靶材开裂 |
| 制备工艺 | CIP / HP / HIP | 确保材料均匀性与结构稳定性 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| AlSb | 异质结构匹配性好 | 红外器件、缓冲层 |
| GaSb | 窄带隙 | 红外探测 |
| InSb | 高电子迁移率 | 高速电子器件 |
| AlAs | 高带隙 | 势垒层 |
| GaAs | 工艺成熟 | 微电子与光电器件 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| AlSb 靶材适合哪种溅射方式？ | RF 与 DC 均可，科研常用 RF 精确控膜。 |
| AlSb 是否易氧化？ | 表面可能轻微氧化，建议真空密封保存。 |
| 是否支持共溅射？ | 支持，与 In、Ga、Sb 等材料共溅射常见。 |
| 是否支持大尺寸靶材？ | 支持 Ø300 mm 及定制规格。 |
| 靶材是否脆？ | 属于化合物半导体，HIP 工艺可提高结构稳定性。 |
| 是否支持科研小批量？ | 支持，一片起订。 |
单片真空密封包装
内部多层防震缓冲
外层出口级硬箱
附 ICP 杂质分析、致密度与尺寸检测报告
确保靶材在运输与储存过程中保持洁净、稳定与可追溯。
锑化铝靶材（AlSb）凭借其良好的能带结构匹配性、稳定的物理化学性能及在 III–V 族半导体异质结构中的关键作用，是红外探测、高速电子器件与先进半导体研究的重要材料。苏州科跃材料可提供高纯度、高致密度、多规格可定制的 AlSb 溅射靶材，满足科研与工业级薄膜沉积需求。
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📧 sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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