锑化铝蒸发材料（AlSb）

产品详情（Detailed Description）

锑化铝蒸发材料通常采用高纯铝与高纯锑为原料，通过真空合成或定向熔炼工艺制备形成稳定的 Al–Sb 化合物相，并严格控制氧、碳等杂质含量，以确保材料纯度与蒸发过程中成分的一致性。

• 纯度等级：99.9%（3N）–99.99%（4N），适用于科研及高端半导体薄膜沉积

• 材料体系：Al–Sb（Ⅲ–Ⅴ族化合物半导体，近化学计量比 AlSb，可定制）

• 能带特性：宽带隙材料，适合作为势垒层与隔离层

• 热稳定性：在较高温度沉积及后续处理条件下仍保持结构稳定

• 成膜一致性：化合物蒸发有助于保持成分稳定，避免多源共蒸发偏析

• 供货形态：颗粒、块状、片状或定制形态，兼容电子束坩埚、钼舟或钨舟

通过优化蒸发速率、基底温度与后处理条件，可获得界面清晰、厚度可控的高质量 AlSb 薄膜。

应用领域（Applications）

锑化铝蒸发材料在Ⅲ–Ⅴ族半导体与红外器件领域具有典型应用，包括：

• 高速电子器件：作为势垒层或隔离层使用

• 红外与量子器件：InAs/AlSb、GaSb/AlSb 异质结构

• 超晶格与量子阱结构：能带工程与界面调控

• 半导体基础研究：宽带隙Ⅲ–Ⅴ族材料研究

• 科研与实验室应用：界面态、能带排列与输运机制研究

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

Q1：AlSb 蒸发材料适合哪种沉积方式？
A：适用于热蒸发和电子束蒸发，电子束蒸发更利于精确控制成分与速率。

Q2：AlSb 在器件中通常起什么作用？
A：多作为势垒层、隔离层或超晶格中的能带调控层。

Q3：AlSb 是否适合异质结构生长？
A：是的，AlSb 与 InAs、GaSb 等材料具有良好的晶格与能带匹配性。

Q4：化学计量比可以定制吗？
A：可以，根据研究或器件设计需求定制 Al/Sb 比例。

Q5：是否适合工业化量产？
A：已在部分Ⅲ–Ⅴ族器件研究与中试应用中使用，具备工程基础。

Q6：膜层附着力如何？
A：在 Si、GaSb、InAs 等基底上可获得稳定附着。

Q7：是否可用于多层或量子结构？
A：可以，常用于量子阱、超晶格与异质结设计。

Q8：科研中常见研究方向有哪些？
A：高速电子器件、红外量子结构、能带工程与界面输运研究。

包装与交付（Packaging）

所有锑化铝蒸发材料在出厂前均经过成分与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封、防震缓冲与出口级包装方案，确保在运输与储存过程中保持材料纯度、成分稳定性及安全性。

结论（Conclusion）

锑化铝蒸发材料（AlSb）凭借其宽带隙特性、优异的势垒性能以及在Ⅲ–Ⅴ族异质结构中的成熟应用基础，在高速电子器件与红外量子结构研究中展现出重要价值。对于需要实现高质量势垒层、稳定界面及可重复沉积行为的真空蒸发应用，AlSb 是一种科研与工程潜力兼具的关键蒸发材料选择。

如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com