铽铟靶材（TbIn）

产品简介（Introduction）

铽铟靶材（TbIn）由稀土金属铽（Tb）与金属铟（In）组成，是一种具有独特光学、电学及磁学特性的功能型合金靶材。铽具备强磁性与高磁光效应，而铟以其优异的延展性、导电性和低熔点闻名。两者结合后的 TbIn 薄膜常用于磁光器件、光电功能膜、传感器结构层以及新型电子材料开发。

该靶材在磁控溅射、脉冲激光沉积（PLD）及电子束蒸发等薄膜制备技术中表现稳定，广泛应用于科研实验及高端制造领域。

产品详情（Detailed Description）

铽铟靶材多采用真空熔炼或稀土专用烧结方式制备，保证材料纯度高、成分均匀、氧含量低。结合 HIP（热等静压）处理，能获得高致密度结构，从而提高薄膜的一致性与溅射稳定性。

■ 典型参数

• 纯度（Purity）： 99.9% – 99.99%

• 铽含量（Tb Content）： 5–60 at% 可定制

• 直径（Diameter）： 25–300 mm

• 厚度（Thickness）： 2–6 mm 薄靶可选

• 工艺（Process）： Vacuum Melting / Hot Press / HIP

• 背板（Bonding）： 铜背板、钛背板、铟焊接可选

■ 材料特性

• 稀土磁性显著，可调磁性薄膜特征

• 良好导电性与结构柔性

• 薄膜表面平整、缺陷少

• 可用于制备 TbIn-O 或 TbIn-N 功能化薄膜

• 溅射过程稳定，颗粒控制性好

应用领域（Applications）

1. 磁光薄膜（Magneto-Optical Films）

铽本身具有强磁光效应，TbIn 薄膜常用于：

• 光隔离器（Optical Isolators）

• 磁光调制器

• 旋光元件

• 磁光传感器

2. 光电与电子功能膜（Optoelectronic Functional Layers）

铟的加入可改善导电性与薄膜界面特性，适用于：

• 透明功能膜结构

• 微电子阻挡层

• 光电探测薄膜

• 半导体衬底界面层

3. 稀土磁性材料（Rare-earth Magnetic Films）

Tb 提供强磁性，可用于：

• 自旋电子学（Spintronics）

• 信息存储研究

• 磁性微结构调控

• 高频磁性器件

4. 传感器薄膜（Sensor Coatings）

适用于：

• 场效应传感器

• 磁敏、电敏复合材料

• 环境监测敏感层

技术参数（Technical Parameters）

材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

Q1：TbIn 靶材适合 RF 还是 DC 溅射？
— 均适合，具体取决于成分与设备。

Q2：TbIn 薄膜磁性如何？
— 随 Tb 含量变化，可从弱磁性到强磁性调节。

Q3：可否定制矩形靶材？
— 可以，尺寸与成分均可定制。

Q4：铟含量高是否影响靶材强度？
— 配合 HIP 工艺可确保良好机械稳定性。

Q5：可用于形成氧化或氮化薄膜吗？
— 可，适用于反应性溅射获得 TbIn-O / TbIn-N 膜。

包装与交付（Packaging）

• 单片真空密封

• 防震泡沫保护

• 多层密封防潮

• 出口级木箱包装

• 每片附批号与材质报告（COA）

结论（Conclusion）

铽铟靶材（TbIn）兼具稀土磁性与优良导电性，是磁光器件、光电结构膜、传感器和科研应用的重要功能靶材。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、高致密度、可定制的 TbIn 靶材，满足科研与产业级薄膜沉积需求。

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