铪靶材(Hf)

铪靶材(Hf Sputtering Target)

产品简介

铪(Hafnium, Hf)是一种高熔点(2227 °C)、高密度且具优良抗腐蚀性能的过渡金属,广泛用于半导体、光学镀膜和核能领域。铪靶材凭借其高纯度、良好的成膜性能及化学稳定性,在薄膜电介质、高k栅介质层及反射膜制备中发挥关键作用。其生成的HfO₂薄膜具有高介电常数、优异热稳定性与低漏电特性,是先进逻辑器件与功率电子中的核心材料。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度铪靶材(纯度99.95%–99.99%),采用真空熔炼与热等静压(HIP)工艺制备,组织致密、晶粒细小、表面光洁度高。
产品可制成圆形、矩形或异形靶材,适配直流(DC)与射频(RF)磁控溅射系统。
可根据需求提供铜(Cu)、钛(Ti)或铟焊(In Bonded)背板结合,以提高散热性能与机械稳定性。

技术特点

  • 高纯度(4N级),薄膜缺陷率低;

  • 致密结构,溅射均匀性优良;

  • 耐高温、抗氧化性能出色;

  • 适用于高k介电膜与光学反射层制备;

  • 可定制不同尺寸与厚度规格。

应用领域

  • 半导体器件:用于高k栅介质膜(HfO₂);

  • 光学镀膜:用于高折射率膜层及反射保护膜;

  • 能源材料:用于耐高温防护膜及燃料电池部件;

  • 航空航天:用于热防护与电极材料;

  • 科研实验:用于HfO₂、HfN、HfC等功能薄膜制备研究。

技术参数

参数 典型值 / 范围 重要性说明
纯度 99.95% – 99.99% 高纯度确保薄膜绝缘性能优异
直径 25 – 300 mm(可定制) 适配主流溅射设备
厚度 3 – 6 mm 影响沉积速率与膜厚控制
密度 ≥ 13.3 g/cm³ 致密结构,溅射稳定性高
背板结合 Cu / Ti / In 焊 提高散热与结构强度
制备工艺 真空熔炼 + HIP 微结构均匀、寿命长、溅射效率高

常见问题(FAQ)

问题 答案
铪靶材可用于哪些溅射系统? 兼容DC与RF磁控溅射系统。
铪靶材制备的薄膜有哪些特性? HfO₂膜层具有高介电常数与优异的热稳定性。
是否可与其他金属共溅射? 可以,与Zr、Ti、Si等共溅射形成复合高k膜。
是否易氧化? 铪具有良好抗氧化性,但应在真空中保存。
是否提供背板焊接? 可提供Cu、Ti或In焊结合,提高散热与稳定性。
是否可定制尺寸? 可提供Ø25–Ø300 mm及矩形靶材定制。
是否适用于半导体行业? 是的,广泛用于高k栅介质及金属栅工艺。
包装方式? 真空密封、防震、防潮包装,确保洁净运输。

结论

铪靶材凭借其高纯度、耐高温与优异介电性能,是半导体与光学领域中极具价值的溅射材料。苏州科跃材料科技有限公司提供高致密度铪靶材及专业背板结合服务,确保薄膜沉积稳定、性能可靠,为先进材料研发与制造提供理想解决方案。

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