铟靶材（In Sputtering Target）

产品简介

铟（Indium, In）是一种具有优异延展性、导电性和润湿性的低熔点金属（熔点156.6 °C），在电子、光电、显示与新能源领域中具有重要地位。铟靶材以其高纯度与优异的成膜特性，被广泛用于透明导电膜（ITO）、半导体器件、电极层和光学镀膜等薄膜制备中，是现代显示技术与薄膜电子器件的关键材料。

产品详情

苏州科跃材料科技有限公司提供高纯度铟靶材（纯度99.99%–99.999%），采用真空熔炼及冷等静压（CIP）成型工艺制造，结构均匀致密、表面光滑、无裂纹与杂质。
靶材可制成圆形、矩形及异形规格，兼容DC（直流）与RF（射频）磁控溅射系统。
可选铜（Cu）、钛（Ti）或铟焊（In Bonded）背板结合，以提高散热性能与机械强度。

技术特点

• 高纯度（4N–5N），薄膜清洁度高；

• 低熔点，溅射速率稳定；

• 成膜均匀性优异、附着力强；

• 可与氧化锡（SnO₂）共溅射制备ITO薄膜；

• 支持定制多种规格与背板结合方式。

应用领域

• 显示技术：用于ITO透明导电膜制备（LCD、OLED、触控屏）；

• 半导体：用于电极、接触层及扩散阻挡层；

• 光学镀膜：用于反射层与滤光膜；

• 能源领域：用于太阳能电池及热电材料薄膜；

• 科研实验：用于In基化合物与功能性涂层研究。

技术参数

常见问题（FAQ）

结论

铟靶材以其高纯度、优异的导电与光学性能，广泛应用于透明导电膜、显示与半导体领域。苏州科跃材料科技有限公司提供高品质铟靶材及专业背板焊接方案，确保溅射稳定、膜层性能优异，是科研及工业客户的可靠选择。

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