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铝铜蒸发材料通常采用高纯铝与高纯铜为原料，通过真空熔炼或合金化工艺制备，确保合金成分分布均匀、组织致密，并严格控制氧、碳等杂质含量。
纯度等级：99.9%（3N）–99.99%（4N），满足科研及工业级薄膜沉积需求
合金比例：Al/Cu 比例可按质量比或原子比定制（常见为低含量 Cu 掺杂），用于优化薄膜电阻率、抗电迁移能力与结构稳定性
电学性能：相比纯铝薄膜，AlCu 薄膜具有更优的电阻稳定性与抗电迁移能力
成膜一致性：铝基体保证连续、均匀沉积，适合大面积与高重复性工艺
供货形态：颗粒、块状、片状或定制形态，适配钨舟、钼舟及电子束坩埚等多种蒸发源
通过合理的合金比例设计，AlCu 蒸发材料可在保持低电阻的同时显著提升薄膜的长期可靠性。
铝铜蒸发材料在多个电子与功能薄膜领域中具有典型应用，包括：
半导体制造：金属互连层、功能导电层
微电子与集成电路：电极层、导线与过渡金属层
显示与光电器件：导电薄膜、电极相关层
MEMS 与传感器：功能金属薄膜
科研与实验室应用：金属合金薄膜电学与可靠性研究
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 合金成分 | Al–Cu（比例可定制） | 决定导电性与可靠性 |
| 纯度 | 99.9% – 99.99% | 影响薄膜缺陷与一致性 |
| 形态 | 颗粒 / 块状 / 片状 | 适配不同蒸发源 |
| 尺寸范围 | 1 – 10 mm（颗粒）或定制 | 影响蒸发速率与均匀性 |
| 蒸发方式 | 热蒸发 / 电子束蒸发 | 兼容主流真空系统 |
| 材料 | 主要优势 | 典型应用 |
|---|---|---|
| 铝铜蒸发材料（AlCu） | 抗电迁移、工艺成熟 | 半导体互连 |
| 纯铝（Al） | 成本低、易沉积 | 通用导电薄膜 |
| 纯铜（Cu） | 电导率极高 | 高端互连 |
| 铝钛（AlTi） | 附着力更强 | 粘附与过渡层 |
Q1：AlCu 蒸发材料适合哪种沉积方式？
A：适用于热蒸发和电子束蒸发工艺，广泛用于导电与互连薄膜制备。
Q2：AlCu 薄膜的主要优势是什么？
A：在保持低电阻的同时，显著提升抗电迁移能力和长期可靠性。
Q3：合金比例可以定制吗？
A：可以，根据器件设计需求定制 Al/Cu 比例。
Q4：与纯铝薄膜相比有何不同？
A：AlCu 薄膜在可靠性和电迁移寿命方面明显优于纯铝。
Q5：是否适合量产型工艺？
A：非常适合，工艺窗口成熟，重复性和一致性高。
Q6：膜层附着力表现如何？
A：对硅、氧化物及多种金属基底具有良好附着性能。
Q7：是否可用于多层金属结构？
A：可以，常与 Ti、TiN 等材料配合使用。
Q8：科研应用中常见用途有哪些？
A：金属互连可靠性、电迁移机理及薄膜结构研究。
所有铝铜蒸发材料在出厂前均经过成分、尺寸与外观检测，并贴附唯一可追溯标签。产品采用真空密封包装，结合防震缓冲材料与出口级包装方案，确保在运输与储存过程中保持高纯度与稳定性能。
铝铜蒸发材料（AlCu）凭借其成熟的工艺体系、优异的导电可靠性以及出色的量产一致性，长期作为微电子与半导体金属薄膜的主流选择之一。对于需要低风险、高稳定性和工业可复制性的真空蒸发应用，AlCu 是一种经过长期验证、值得信赖的工程级蒸发材料。
如需了解更多技术参数或获取报价，请联系：sales@keyuematerials.com
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