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苏州科跃提供高品质铝酸锂（LiAlO₂）衬底，因其与 GaN 晶体的晶格失配率较低，非常适合用于 GaN 薄膜的外延生长。这类衬底具有优异的热稳定性，广泛适用于先进半导体器件的制造与科研。
| 性能参数 | 数值 |
|---|---|
| 材料 | LiAlO₂ |
| 晶体结构 | M4 |
| 晶格常数 (Å) | a = 5.17, c = 6.26 |
| 密度 (g/cm³) | 2.62 |
| 熔点 | 1900°C |
| 莫氏硬度 | 7.5 |
| 规格 | 参数 |
|---|---|
| 尺寸 | 10 × 3 mm、10 × 5 mm、10 × 10 mm、15 × 15 mm、20 × 15 mm、20 × 20 mm、直径 15 mm、直径 20 mm、直径 1″、直径 2″、直径 2.6″ |
| 厚度 | 0.5 mm、1.0 mm |
| 晶向 | ＜100＞、＜001＞ |
| 抛光 | 单面抛光 (SSP) 或双面抛光 (DSP) |
| 定向精度 | ±0.5° |
| 边缘倒角 | 2°（可选 1°） |
| 晶体角度 | 可根据需求提供特殊尺寸与晶向 |
| 表面粗糙度 (Ra) | ≤ 5 Å（5 μm × 5 μm） |
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