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铜靶材(Copper Sputtering Target, Cu)是电子、半导体、光学镀膜和新能源领域中最常用的基础金属靶材之一。铜具有优异的导电性、良好的热传导性以及稳定的金属结构,可在薄膜沉积过程中形成高附着性、低缺陷、均匀致密的金属膜层。
凭借其电学性能与工艺兼容性,铜靶材被广泛应用于集成电路互连、传感器制造、电极薄膜、RF 器件、光学反射膜以及各种功能镀膜工艺,是现代制造与科学研究中不可替代的主流靶材。
苏州科跃材料科技有限公司提供高质量铜靶材,具有以下特性:
纯度范围: 99.9%–99.999%(3N–5N)
高纯度铜有助于降低薄膜粒子、减少电阻并提升结构均匀性。
尺寸范围:
直径:25–300 mm
厚度:3–6 mm(可按设备需求定制)
制造工艺:
高纯铜熔炼
多道次冷轧/热轧
精密机械加工与表面处理
CIP/HIP 致密化(可选)
致密度可达 ≥99% TD,适合高功率、长时间溅射需求。
背板结合(可选):
铜背板 / 钛背板 / 铟焊(In-Bonding)
结合背板能有效提升热传导效率,避免靶材在溅射中发生翘曲或裂纹。
铜靶材具备良好的延展性与加工性能,可适配 DC、RF 及高功率磁控溅射系统。
铜靶材在众多行业中被广泛采用,包括:
半导体工艺
互连金属(Cu interconnect)
阻挡层结构
晶圆加工用金属薄膜
电子与电气行业
电极层
导电薄膜
功率器件用金属层
光学镀膜
可见光与红外反射薄膜
装饰性镀层
新能源与光伏
CIGS、CZTS 太阳能薄膜
功能电极镀膜
传感器与微机电系统(MEMS)
导电线路
微结构金属层
科研用途
合金薄膜制备(如 Cu–Ni、Cu–Al、Cu–Cr)
薄膜材料电阻研究
铜基材料界面工程
| 参数 | 典型值 / 范围 | 重要性说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 3N–5N | 纯度越高,薄膜电阻越低、结构均匀性越好 |
| 直径 | 25–300 mm | 支持各类薄膜设备 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响沉积速率和靶材寿命 |
| 致密度 | ≥99% TD | 高致密度减少产生颗粒,提升膜层质量 |
| 背板结合 | Cu/Ti/Indium Bonded | 提升散热,减少热应力损坏 |
| 材料 | 主要优势 | 应用场景 |
|---|---|---|
| 铜靶材(Cu) | 导电率高、成本低、工艺稳定 | 半导体、电极、光伏 |
| 铝靶材(Al) | 轻量、附着力好 | 电子与光学薄膜 |
| 铜铬靶材(CuCr) | 更好的抗溅射腐蚀性 | 结构更复杂的金属薄膜 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| 铜靶材适用于哪些沉积方式? | DC、RF、HiPIMS、IBS 均可使用。 |
| 铜薄膜容易氧化吗? | 铜本身易氧化,但在真空沉积条件中可获得稳定薄膜。 |
| 是否可提供铟焊背板的铜靶材? | 可以,适用于长时间高功率溅射。 |
| 能否定制大面积靶材? | 可定制至 Φ300 mm。 |
| 铜薄膜的电阻是否可控? | 可通过改变功率、气压、基底温度等方式调节。 |
| 是否支持共溅射? | 支持与 Cr、Al、Ni 等元素共溅射形成合金薄膜。 |
| 铜靶材表面颗粒如何控制? | 通过高致密度工艺和精密加工,可大幅减少颗粒。 |
| 是否与玻璃、Si、ITO 等基底兼容? | 兼容性良好,可沉积高附着性薄膜。 |
| 能否提供 COA? | 可提供纯度/致密度/成分检测报告。 |
| 包装是否防氧化? | 真空密封+防震包装,可长期储存。 |
真空密封袋
氩气保护
防震泡沫
出口级木箱
附唯一编号与检测报告
确保铜靶材在运输与储存过程中保持无氧化、无划伤、无污染。
铜靶材以其优异的导电性、热稳定性、易加工性和较高的性价比,在半导体、光电、显示、新能源等行业中长期占据核心位置。高纯致密的铜靶材可显著提升薄膜质量、可靠性与生产效率,是科研和工业薄膜制备中不可或缺的重要材料。
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sales@keyuematerials.com
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属(3N~6N)、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案,服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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