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铜镓靶材(CuGa)由铜(Cu)与镓(Ga)组成,是 CIGS 太阳能薄膜的重要前驱合金材料之一,同时也广泛应用于光电器件、薄膜半导体、多层光学膜与先进材料研究。Cu 赋予高导电性与机械稳定性,Ga 具有较强的化学活性、优异的扩散行为及调控带隙的能力,二者结合形成的 CuGa 薄膜可作为 CIG(Cu-Ga)或 CIGS(Cu-In-Ga-Se)结构中的关键金属层。
CuGa 靶材薄膜具有致密性高、应力低、膜层均匀性好、成分可控的优势,是光伏产业与光电薄膜技术中的重要功能性合金靶材。
铜镓靶材采用高纯铜粉与高纯镓原料,通过精确配比混合、冷等静压(CIP)压制,再经过真空烧结(Vacuum Sintering)或热等静压(HIP)技术制备而成。高致密度与低杂质含量确保 CuGa 靶材在溅射过程中稳定、不易产生颗粒,适合大面积镀膜及高均匀度薄膜制备。
纯度(Purity):99.9% – 99.99%
成分比例(Composition):
Cu85Ga15
Cu80Ga20
Cu75Ga25
Cu/Ga 可根据 CIGS 工艺完全定制
直径(Diameter):Ø25 – 300 mm
厚度(Thickness):3 – 6 mm(可做薄靶)
致密度(Density):≥95–99% TD
制造工艺(Process):CIP + Vacuum Sintering 或 HIP
背板(Bonding Options):Ti 背板 / Cu 背板 / In bonding
Ga 提升 CIGS 膜层性能(带隙调控)
Cu 提供机械强度与稳定成膜性
溅射速率稳定、表面致密度高
低氧含量,薄膜颗粒率低
可用于反应性溅射(CuGa-Se、CuGa-O 薄膜)
作为关键金属前驱层使用,特点包括:
调节吸收层带隙
提高转换效率(Ga 提升 Voc)
与 CuIn 搭配用于 CIGS 前置合金层
支持多步硒化/硫化工艺(Se/S treatments)
这是 CuGa 靶材最大的产业化应用领域。
光吸收结构层
光学调控金属膜
红外敏感结构薄膜
中间层
结构调节层
多层膜中的粘附/过渡层
粘附层(Adhesion Layer)
结构调控金属层
低应力薄膜层
用于探索:
Cu-Ga 金属间化合物薄膜
CuGa-O、CuGa-N 功能薄膜
光电结构中的新型调控层
| 参数 | 范围 / 数值 | 说明 |
|---|---|---|
| 纯度 | 99.9–99.99% | 提升薄膜光电性能 |
| Cu/Ga 比例 | 可定制 | 决定 CIGS 带隙、膜层性能 |
| 致密度 | ≥95–99% TD | 减少颗粒,提高膜质量 |
| 厚度 | 3–6 mm | 影响沉积速率与使用寿命 |
| 背板 | Ti / Cu / In | 增强散热、防开裂 |
| 材料 | 特性 | 主要用途 |
|---|---|---|
| CuGa | 调控带隙、薄膜均匀、高稳定性 | CIGS 光伏、光电薄膜 |
| CuIn | 形成 CIGS 主体吸收层 | 太阳能吸收层金属前驱体 |
| Cu(铜) | 高导电性 | 电极、结构层 |
| Ga(镓) | 带隙调节、低熔点 | 光电与半导体工艺 |
| CuGe | 可调电性与应力 | 电子与光学膜结构 |
| 问题 | 答案 |
|---|---|
| CuGa 是否主要用于 CIGS? | 是的,主要用于 Ga 掺杂调控带隙。 |
| Cu/Ga 比例可否定制? | 任何比例均可按工艺定制。 |
| 是否适合 RF 溅射? | 完全兼容 DC / RF。 |
| CuGa 是否会产生颗粒? | 高致密度 CuGa 靶材颗粒率极低。 |
| 是否兼容大面积镀膜? | 是的,可用于 200–300 mm 大尺寸腔体。 |
高真空密封包装
干燥剂与防氧化保护
多层缓冲防震设计
出口级硬箱或木箱
靶材附唯一批号用于质量追踪
铜镓靶材(CuGa)在 CIGS 光伏应用及光电薄膜技术中具有关键地位,其优异的成膜均匀性、结构可控性与带隙调节能力,使其成为高性能薄膜制备的首选材料。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯度、多规格、可定制比例的 CuGa 溅射靶材,适用于科研、试产和大规模量产项目。
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