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铜锰镍靶材（CuMnNi）是一种由铜（Cu）、锰（Mn）与镍（Ni）组成的多元合金溅射靶材，具有优良的电学稳定性、耐腐蚀性、机械强度和粘附性能。
该合金在电子封装、半导体互连、电极层、阻挡层、感应元件及高可靠性薄膜中应用广泛，尤其适用于要求电导率、耐蚀性与结构稳定性均衡的应用场景。
Cu–Mn–Ni 合金薄膜具有良好的结构致密性、较低内应力、优良的热稳定性，可作为电极功能层、复合金属层和封装层的重要材料。
铜锰镍靶材采用高纯金属原料，通过真空熔炼、粉末冶金、热等静压（HIP）、冷等静压（CIP）、高温烧结等工艺制备，具有高致密度和优越的溅射一致性。
可提供的典型规格如下：
纯度：99.9% – 99.99%
成分比：Cu–Mn–Ni（成分可依需求定制，如 Cu60Mn20Ni20 / Cu70Mn15Ni15 等）
直径：Φ25–300 mm（可定制矩形与阶梯靶）
厚度：3–6 mm
致密度：>97%
背板键合：铜背板（Cu）、钛背板（Ti）、铟焊（In Bonding）
材料结构优势：
混合金属结构稳定，薄膜附着力高
硬度与机械强度高，耐磨损、耐腐蚀
电阻率可定制，适用于不同电子结构
高致密度减少颗粒、提高膜层均匀性
Mn 和 Ni 的加入提升耐热性与抗迁移性能
铜锰镍靶材在电子制造、薄膜技术及材料科学中广泛应用，典型用途包括：
半导体互连金属薄膜（Interconnect Films）
电子封装金属层（Packaging Layers）
电极、接触层（Electrodes / Contacts）
阻挡层或缓冲层（Barrier / Buffer Layers）
磁性与感应材料薄膜（Ni 的加入可增加弱磁性）
抗腐蚀保护膜、耐磨薄膜
传感器与功能薄膜电路
科研材料开发
CuMnNi 特别适合用于需要电学稳定性与良好耐腐蚀性的电子器件。
| 参数 | 范围 / 典型值 | 说明 |
|---|---|---|
| 成分 | Cu–Mn–Ni（可定制） | 决定电阻率与机械特性 |
| 纯度 | 99.9%–99.99% | 影响薄膜缺陷密度 |
| 致密度 | ≥97% | 薄膜更均匀、颗粒更少 |
| 直径 | 25–300 mm | 适用于所有主流溅射系统 |
| 厚度 | 3–6 mm | 根据工艺需求定制 |
| 背板 | Cu / Ti / In | 提高散热与稳定性 |
| 材料 | 特点 | 应用场景 |
|---|---|---|
| CuMnNi | 导电性好、耐腐蚀、耐热强 | 封装、互连、功能膜 |
| CuNi | 抗腐蚀好、电阻率较高 | 电阻膜、感应膜 |
| CuMn | 耐热性强、成本适中 | 电极层、结构膜 |
| 纯铜（Cu） | 导电率最高、耐腐蚀一般 | 高导电线路、接触层 |
1. CuMnNi 的成分比例可以定制吗？
可以，根据电阻率、强度或膜层需求自由定制。
2. 是否能用于高功率溅射？
配合 Cu 或 Ti 背板后，可在高功率下长期稳定运行。
3. CuMnNi 是否易氧化？
Mn 成分可能提升氧亲和性，但高纯工艺与真空密封包装可避免氧化。
4. 是否适用于 Si、玻璃、金属基底？
兼容性优秀，附着力高。
5. 是否会产生颗粒？
高致密度可减少颗粒与炸点。
6. 能否提供测试报告？
可提供化学成分、纯度、密度、显微结构等检测。
7. 是否能用于磁性薄膜？
Ni 的加入可在一定配比下产生弱磁响应，适用于部分磁性薄膜研究。
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铜锰镍靶材（CuMnNi）凭借其优异的电学性能、机械稳定性以及抗腐蚀特性，是电子封装、互连结构、薄膜电极以及功能涂层的重要材料选择。
苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密度、多规格 CuMnNi 靶材，满足科研与工业应用需求。
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苏州科跃材料科技有限公司是一家专注于高纯材料、薄膜沉积靶材、特种合金及磁性材料研发与生产的高新技术企业。我们提供从高纯金属（3N~6N）、溅射靶材、蒸发材料到特种合金、磁性组件及定制加工的一站式材料解决方案，服务于半导体、新能源、航空航天、科研院所等领域。
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