铜锗靶材（CuGe）

产品简介（Introduction）

铜锗靶材（CuGe）由铜（Cu）与锗（Ge）组成，是一种兼具优良导电性、稳定化学性能、良好成膜性与结构调控能力的功能性合金靶材。Cu 提供高导电率、延展性和机械稳定性，Ge 则具备优异的半导体特性、成膜均匀性和低应力优势，使 CuGe 在半导体薄膜、光学结构膜、金属化层、衬底黏附层和合金功能膜中表现出广泛应用价值。

CuGe 靶材常用于微电子、光电器件与高性能薄膜结构中，特别适用于需要调控电阻率、膜层应力和微观组织的场景。

产品详情（Detailed Description）

铜锗靶材采用高纯铜与高纯锗原料，经精确配比、均匀混合、冷等静压（CIP）成型，再通过真空烧结（Vacuum Sintering）或热等静压（HIP）制备。靶材具有高致密度（95–99% TD）、低氧含量和均匀微结构，适合 DC/RF 磁控溅射。

典型产品参数：

• 纯度（Purity）：99.9%–99.99%

• 常见化学比例（Composition）：

  • Cu90Ge10

  • Cu80Ge20

  • Cu70Ge30

  • 任意 Cu/Ge 比例可按需定制

• 尺寸（Diameter）：Ø25–300 mm

• 厚度（Thickness）：3–6 mm（可提供薄靶）

• 致密度（Density）：≥95–99% TD

• 工艺（Process）：CIP + Vacuum Sintering / HIP

• 背板选项（Bonding）：Cu 背板 / Ti 背板 / 铟焊（Indium Bonding）

材料特点：

• Cu 提供高导电率和机械稳定性

• Ge 提供优异薄膜均匀性与可控电性

• 薄膜颗粒率低、致密度高

• 适合反应性溅射（CuGe-O / CuGe-N 薄膜）

• 兼容多种衬底：玻璃、Si、陶瓷、金属等

• 应力低，成膜附着力强

应用领域（Applications）

1. 半导体金属化与互连（Semiconductor Metallization）

• 金属化过渡层

• 粘附层（Adhesion Layer）

• Cu 基互连结构的界面控制层

• Barrier 结构中间层

2. 光电器件（Optoelectronics）

• 红外敏感薄膜

• 光吸收/调控膜

• 透明功能层结构

3. 传感器薄膜（Sensors）

• 电阻式传感膜

• 气体/湿度检测功能薄膜

• 压力/应变响应金属膜

4. 光学镀膜（Optical Coatings）

• 中间层（Interlayer）

• 金属反射膜

• 多层光学结构的调节层

CuGe 本身具有良好的光学调控能力，可用于复杂多层膜系。

5. 工程与防护薄膜（Engineering Protective Films）

• 耐腐蚀金属膜

• 结构增强膜

• 高稳定性金属薄层

技术参数（Technical Parameters）

材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

包装（Packaging）

• 真空密封

• 干燥剂防潮

• 多层防震泡棉

• 出口级硬箱 / 木箱

• 每片靶材附唯一批号便于追踪

结论（Conclusion）

铜锗靶材（CuGe）因其可控电性、优良成膜质量、稳定的金属间结构与光电特性，被广泛用于半导体工艺、金属化结构、光电薄膜与传感器系统。苏州科跃材料科技有限公司可提供多比例、多尺寸与背板选项的 CuGe 靶材，适用于科研与量产。

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