铜铟镓靶材（CuInGa）

产品简介（Introduction）

铜铟镓靶材（CuInGa）是制备铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池核心吸收层的重要溅射材料。作为高性能光伏薄膜的基础，CuInGa 靶材具有优异的化学稳定性、高纯度结构以及极低颗粒率，可在 PVD 溅射工艺中稳定形成均匀、致密且成分可控的 CIG 或 CIGS 薄膜。

其成膜可实现可调带隙（1.0–1.7 eV）、高光吸收系数和良好的电学特性，因此在薄膜太阳能组件、光电探测、柔性电子、透明器件等领域具有广泛应用。

产品详情（Detailed Description）

CuInGa 靶材通常以 Cu–In–Ga 三元固溶体制备，通过真空熔炼、热等静压（HIP）、冷等静压（CIP）、粉末冶金（PM）以及精密机加工制造。
其核心技术特点包括：

• 高致密度（≥98%），适合中高功率溅射

• 成分均匀性优异，可确保膜层化学计量一致

• 低氧含量与低杂质，避免薄膜缺陷

• 溅射稳定性强、粒子低，尤其适用于大面积薄膜制备

• 支持定制不同 Cu/(In+Ga) 比例

常见成分比：

• CuInGa（如 Cu0.9In0.6Ga0.4 或按客户配方）

• Cu/(In+Ga) 比一般在 0.7–1.0 之间可调

可供规格：

• 纯度：99.9%–99.99%

• 直径：25–300 mm

• 厚度：3–6 mm（支持进一步减薄）

• 形状：圆形 / 矩形靶材

• 背板结合：铜背板（Cu）、钛背板（Ti）、铟焊（In）

应用领域（Applications）

薄膜太阳能电池（CIGS Photovoltaics）

CuInGa 是制备 CIG / CIGS 吸收层的关键靶材，用于：

• 组件级蒸镀与溅射工艺

• 高效率 (>20%) CIGS 太阳能电池

• 柔性薄膜光伏（PEN、PI 基材）

• 建筑集成光伏（BIPV）

光电探测与功能薄膜

• 高吸收与可调带隙光敏薄膜

• 光伏材料研发

• 可调能带结构的高性能探测器

微电子与透明电子

• 薄型可弯曲器件

• 透明组件结构层

• 低温兼容电子器件

CuInGa 薄膜具有优异的光吸收能力，使其在未来柔性、轻量化能源器件中具有高度竞争力。

技术参数（Technical Parameters）

相关材料对比（Comparison with Related Materials）

常见问题（FAQ）

1. CuInGa 靶材是否适用于 DC、RF 和磁控溅射？
是的，材料可适配多种溅射方式。

2. 成分比例可以定制吗？
可以，根据 CIG/CIGS 吸收层设计要求定制 Cu/(In+Ga) 和 Ga/(In+Ga)。

3. 是否影响 CIGS 薄膜的带隙？
会的，Ga 含量越高，带隙越宽。

4. 是否支持柔性薄膜应用？
支持，可低温沉积以适配柔性基底。

5. 可否提供大尺寸靶材？
支持 4″、6″、8″、12″ 以及矩形靶。

6. 是否提供 ICP 成分分析？
出厂可附成分、纯度、密度与表面检测报告。

包装与交付（Packaging）

• 真空密封防氧化

• 泡棉吸能缓冲

• 出口级纸箱或木箱包装

• 每件产品附追溯编码与检测报告

结论（Conclusion）

铜铟镓靶材（CuInGa）是高效率 CIGS 薄膜太阳能电池及先进光电薄膜制程的重要材料。凭借高纯度、可控成分、优异溅射稳定性和高致密度，适用于高端光伏研发与量产需求。

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