铋铟靶材（BiIn）

产品简介（Introduction）

铋铟靶材（BiIn）由铋（Bi）与铟（In）两种低熔点金属构成，是一种具备优异润湿性、良好界面结合能力以及可调电学与光学性能的功能性合金靶材。由于铋具有较高密度、良好的光电特性，铟具备出色延展性与稳定导电性能，两者的复合薄膜在光电转换、界面工程、低温封装与功能膜研究中非常关键。

BiIn 靶材特别适用于低温沉积环境、柔性电子、热敏感基底镀膜及具有特殊电阻特性的薄膜制造。

产品详情（Detailed Description）

BiIn 靶材通常采用真空熔炼（Vacuum Melting）、热压烧结（HP）、冷等静压（CIP）与 HIP（热等静压）等工艺，以确保合金成分均匀、致密度高并最大限度降低氧含量。精密加工后的靶材可在 DC/RF 溅射中保持平稳放电。

● 典型参数

• 纯度（Purity）： 99.9% – 99.999%

• 成分（Composition，可定制）：

  • Bi50In50

  • Bi70In30

  • Bi60In40

  • 原子比/重量比均可定制

• 尺寸（Size）： Ø25–Ø300 mm 或矩形靶

• 厚度（Thickness）： 2–6 mm（支持薄靶）

• 制造工艺（Process）： Vacuum Melting / HP / CIP / HIP

• 背板（Bonding）： Cu Backing / Ti Backing / Indium Bonding

● 材料特性

• 熔点低，适用于低温薄膜沉积

• 薄膜附着性好

• 可调电导率 / 电阻率

• 对柔性材料、聚酯膜、玻璃、Si 基底兼容性强

• 适合制备 BiIn-O / BiIn-N 反应性薄膜

• 与 ITO / ZnO / PMMA 等材料匹配性优良

应用领域（Applications）

1. 光电功能薄膜（Optoelectronic Films）

适用于：

• 光电探测器结构层

• 红外敏感薄膜

• 功能性金属层

• 光学调控镀膜

2. 半导体与界面工程（Semiconductor & Interface Engineering）

BiIn 薄膜以其良好的润湿性与界面结合能力，常用于：

• 接触层（金属-半导体界面）

• 阻挡层 / 缓冲层

• 电极结构膜

• 多层堆栈结构（Stack Films）

3. 低温电子材料（Low-temperature Electronics）

由于 Bi 和 In 均为低熔点金属，适合：

• 低温焊接 / 锡铟替代工艺

• 柔性电子薄膜

• 低温沉积 OLED/OPV 结构层

• 热敏基底加工（塑料、薄膜基底）

4. 传感器（Sensors）

应用于：

• 压力/应变感测薄膜

• 红外传感器材料

• 环境监测功能膜

技术参数（Technical Parameters）

材料对比（Comparison）

常见问题（FAQ）

1. BiIn 靶材可用于 RF 溅射吗？
可以，DC/RF 均可。

2. 可否制作 300mm 的大尺寸靶？
可以，支持晶圆级尺寸。

3. BiIn 是否适合柔性基底？
非常适合，适用于 PET、PI 等薄膜材料。

4. 会产生飞溅颗粒吗？
致密度高时飞溅颗粒少，可通过 HIP 提升结构质量。

5. 可否调整成分？
Bi 与 In 比例可完全按需求定制。

包装（Packaging）

• 双层真空包装

• 干燥剂防潮保护

• 抗震泡沫结构

• 出口级木箱/硬盒

• 每片靶材附唯一批号与 COA

结论（Conclusion）

铋铟靶材（BiIn）以其优异的润湿性、可调电学特性及低温工艺兼容性，在光电功能薄膜、柔性电子、界面工程和科研领域具有极高应用价值。苏州科跃材料科技有限公司可提供高纯、高致密、成分可定制的 BiIn 靶材，满足科研与工业客户需求。

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